8月26日上午，英飞凌科技凭借第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1400V分立器件以及全新封装的1200V Easy C系列碳化硅模块，以其卓越的产品性能和创新的技术设计，荣获2025年半导体市场创新表现奖——“年度优秀功率器件产品奖”。英飞凌工业与基础设施业务大中华区市场总监王丹代表公司出席了颁奖典礼并领奖。目前两款产品均已上市，可通过英飞凌官网申请样品试用。
1400V CoolSiC™ MOSFET G2系列
针对高母线电压应用场景，1400V CoolSiC™ MOSFET G2系列经过优化设计，可轻松适配母线电压超过1000V的工况。该系列产品通过将功率管脚加粗至2mm，显著提升了器件的电流承载能力；同时采用背板回流焊工艺，进一步增强了产品的可靠性，为高压电力电子系统提供了坚实的技术保障。目前，该系列已推出TO-247及TO-247 Plus Reflow两种封装形式，其最低导通电阻（Rdson）低至6毫欧，性能指标达到行业领先水平。
CoolSiC™ MOSFET G2 Easy C系列
1200V碳化硅模块
最新推出的CoolSiC™ MOSFET G2 Easy C系列1200V碳化硅模块全新封装，在业内首次发布就引起广泛关注。该产品集多项创新技术于一身。在芯片技术上，凭借先进的G2芯片技术，实现了RDS(on)*A降低25%、输出功率提高约30%，效率更是达到行业顶尖水准。创新耐高温材料，赋予产品卓越的耐高温性能，不仅能在175°C的正常工作温度下稳定运行，在200°C过载条件下也能可靠工作。全新PressFIT引脚使电流承载能力翻倍，有效降低PCB温度，且优化了安装流程。为满足多样化需求，产品还配备两种不同的Pin脚连接技术供选择。
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