英飞凌科技（Infineon Technologies）于 2025 年 9 月 25 日宣布，已与日本半导体制造商罗姆半导体（Rohm Semiconductor）签署MOU，就SiC功率半导体的封装开展合作。双方合作范围涵盖车载充电器、光伏、储能系统及 AI 数据中心等应用场景。针对特定碳化硅功率器件，二者将互为第二供应源，进一步提升客户在设计与采购环节的灵活性。封装兼容性保障互换性未来，客户将可从英飞凌与罗姆双方获取封装兼容的产品。此次合作确保了这些元器件在封装层面的无缝兼容与互换性，以满足不同客户的特定需求。作为协议的一部分，罗姆将采用英飞凌的碳化硅顶侧冷却平台，涵盖 TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK 双封装及 H-DPAK 等封装形式，这些封装均统一为 2.3 毫米高度标准。此举不仅简化设计流程、降低冷却系统成本，还能优化基板空间利用率，使功率密度提升高达两倍。英飞凌采用罗姆先进DOT-247 封装与此同时，英飞凌将采用罗姆具备碳化硅半桥结构的 DOT-247 封装，开发兼容封装，为其新推出的双 TO-247 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）产品组合新增碳化硅半桥解决方案。相较于传统分立元器件封装，罗姆先进的 DOT-247 封装采用独特结构，将两个 TO-247 封装相连，使热阻降低约 15%、电感降低 50%。这些特性使得该封装的功率密度达到 TO-247 封装的 2.3 倍。双方还计划在未来扩大合作范围，纳入更多封装形式，以及更广泛的功率技术，包括硅基及碳化硅、氮化镓等各类宽带隙功率技术。原文标题：Infineon, Rohm sign MOU to support flexible SiC power device shipments原文媒体：digitimes asia芯启未来，智创生态湾芯展2025与您相约！
