SK海力士成功开发321层2Tb QLC NAND

8月25日，SK海力士表示，已完成321层2Tb QLC NAND闪存的开发。这闪存超越三星（290层）、美光（232层）等竞争对手，成为全球首款突破300层的NAND闪存，标志着3D NAND技术进入“超高层数”时代。

该公司表示，这是世界上第一个超过300层的NAND，将于明年上半年开始出售，供AI数据中心使用。

SK海力士通过将芯片内的独立操作单元（即平面）数量从4个扩展至6个，以解决大容量NAND可能出现的性能下降问题，从而提升数据传输速度、写入性能和读取性能。此外，该产品在性能和一致性方面有显著提升，主要面向AI数据中心市场。

较上一代（1Tb）翻倍，该闪存单Die容量密度提升100%，容量达到2Tb，是上一代产品的两倍。这意味着相同物理尺寸下可存储更多数据，直接降低AI数据中心每TB存储成本。

在性能方面，与上一代产品相比，该芯片的数据传输速度提升了100%，最大写入速度提升了56%，最大读取速度提升了18%。此外，它的能效提高了23%以上，非常适合需要低功耗芯片的AI数据中心。

SK Hynix计划将321层NAND用于PC固态硬盘，然后用于数据中心的嵌入式SSD和智能手机的UFS。比如，作为AI服务器的主存储，支撑大模型训练（如GPT-4级参数）的并行数据读写，减少因存储瓶颈导致的计算资源闲置；2Tb容量还可以满足专业用户（如视频剪辑、3D建模）对本地存储的需求，同时通过高速读写提升系统响应速度。

SK海力士表示：“随着321层2Tb QLC闪存量产启动，我们进一步强化了大容量产品阵容，并巩固了成本优势。在人工智能需求爆发式增长以及数据中心对高性能存储的迫切需求下，我们将实现关键突破，成为全方位人工智能存储解决方案的领先供应商。”

该公司透露，目前正着手将321层2Tb QLC闪存提交全球客户验证，预计于2026年上半年正式推向市场。

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100例——“充电插口”设计（保存收藏）

2025-08-24