结合DRAM、NAND优点的新型存储器UltraRAM已经大幅推进其商业化进程。 综合外媒报道，UltraRAM的开发公司Quinas Technology过去一年持续与先进晶圆产品制造商IQE合作，致力将UltraRAM内存的制程推进到工业化规模。

外媒Blocks &Files、Tom's Hardware报道指出，这项合作已经成功，而UltraRAM被视为结合DRAM与NAND优点的新型存储器，具备DRAM般的高速运作、耐用度比NAND高4,000倍、低于1飞焦耳的超低切换能耗，及数据保存能力长达千年，如今正迈向量产。

报道指出，该设计之所以大幅进展，主要是因为采用锑化镓（gallium antimonide）与锑化铝（Aluminium antimonide）的磊晶技术获得突破，而且为全球首创，将帮助UltraRAM真正进入量产。

据悉，UltraRAM相当仰赖磊晶技术，后续才会经过曝光与蚀刻等半道体制程，来构建内存芯片结构。

IQE首席执行官Jutta Meier指出，「我们已经成功达成目标，为 UltraRAM 开发出可扩展的磊晶制程，这是迈向封装芯片工业化生产的重要里程碑。 这个项目代表了一个独特机会，将下一代复合半道体材料在英国实现“。

Quinas 首席执行官兼共同创办人 James Ashforth-Pook 也表示，这次合作的成果是从大学研究迈向商业存储器产品之旅的转折点。 据悉，在接下来的商业化路径中，Quinas与IQE计划与各大晶圆厂与合作伙伴探讨试产的可能性。

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