中国芯片，猛追韩国

中国推动半导体自给自足的努力开始取得成果，这引发了人们的担忧，随着中国 IT 公司加大内部开发和生产的力度，韩国两大内存芯片制造商——三星电子和 SK 海力士——可能面临越来越大的压力。

据业内人士周一透露，在政府大力扶持的推动下，中国IT巨头正在加快研发和量产自主研发的人工智能芯片。这一举措被广泛视为减少对外国技术依赖的战略支点。

今年，北京已投资超过84亿美元，用于推动人工智能和半导体国产化。摩根士丹利预测，中国的目标是到2026年将国产人工智能芯片产量提高两倍，到2027年将人工智能芯片自给率提高到82%。中国地方政府还承诺到2027年将国产人工智能芯片在数据中心的占比提高到70%或更高。

中国领先的 DRAM 供应商之一长鑫存储科技正准备于明年量产第四代高带宽内存（HBM3）芯片。尽管该技术落后于三星和 SK 海力士的现有产品——尤其是集成于英伟达旗舰 AI 芯片中的 HBM3E 版本（HBM3 的扩展版本），但分析师表示，技术差距正在以比许多人预期更快的速度缩小。

华为技术有限公司也已进军半导体领域，推出专为高性能数据中心设计的AI固态硬盘。这一领域传统上由三星、SK海力士以及美国美光科技主导。尽管面临美国出口管制，但华为似乎正在AI优化存储硬件领域开辟出一片天地。

业内专家警告称，如果这种趋势持续下去，韩国内存芯片制造商目前的领先地位可能会被削弱。

“中国芯片制造商拥有雄厚的资本和人力资源，”祥明大学系统半导体工程教授李钟焕表示。“在这种程度的国家干预和人才流入下，他们的技术进步正在急剧加速。”

Lee强调，韩国必须增强自身竞争力，尤其是在高带宽内存技术领域。“我们必须专注于加强HBM（高带宽内存）的开发，并大胆投资于AI半导体创新。政府的支持也至关重要。”他说道。

尽管如此，一些人仍将中国的崛起视为一个潜在的机会，让原本集中化的市场实现多元化。

NH Investment & Securities 分析师 Ryu Young-ho 表示：“从中长期来看，更多 AI 芯片制造商的出现可能会拓宽供应基础，并减轻对少数几家主导企业的依赖。这可能为韩国内存芯片供应商带来新的增长机会，尤其是在他们能够保持下一代内存性能优势的情况下。”

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