直写光刻设备在先进封装领域的分析

思瀚产业研究院 2025-09-02 12:00

全球先进封装市场概览

随著AI、高性能计算(HPC)、5G通讯及汽车电子等应用的快速发展,对高计算能力、高带宽及低功耗芯片的需求激增。然而,摩尔定律正逼近其物理极限,通过工艺微缩持续提升性能的成本效益已大幅下降。先进封装已成为提升芯片性能及降低功耗的重要途径之一。

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全球先进封装市场规模预计将从2024年的人民币约3,064亿元增长至2030年的人民币5,464亿元,複合年增长率为10.1%。先进封装市场的快速发展亦将有力推动全球集成电路厂商在先进封装领域的资本支出。该领域的资本支出规模预计将由2024年的人民币约817亿元增长至2030年的人民币约1,427亿元,複合年增长率为9.7%。

全球先进封装行业趋势及直写光刻技术的价值创造

随著2.5D/3D封装、扇入╱扇出型封装、重佈线层(RDL)、硅通孔╱玻璃通孔(TSV/TGV)、系统级封装(SiP)、Chiplet异构集成及面板级封装(PLP)等高密度互连封装解决方案在AI、HPC、5G射频及内存堆叠等领域的广泛应用,对光刻技术解决方案提出了更精细的线宽处理能力、更高的层间对位精度及更大面积的图形化能力的要求。

然而,掩膜版光刻技术在若干先进封装形式中面临诸多限制。在2.5D先进封装形式(如CoWoS-L)及面板级先进封装(PLP)形式中,IC载板正向更大尺寸发展,以在单个封装芯片内实现更多异构单元集成。

然而,该尺寸已超出掩膜版光刻工艺中单次曝光的最大曝光尺寸。因此,需要通过多次曝光对掩膜版进行拼接,以对大尺寸基板进行图形化。然而,掩膜版的重複拼接将导致对准误差增加、曝光工艺时间成倍增加、成本指数级增长及良率迅速下降。

直写光刻技术无需掩膜版并以数字方式生成图案,可通过单个工艺步骤完成大尺寸基板的曝光过程。与掩膜版光刻相比,其展现出成本更低、效率更高的技术优势。基板翘曲是先进封装工艺中的另一工艺瓶颈。

高温及机械应力导致的基板弯曲或扭曲将导致封装良率下降。在掩膜版光刻工艺下,掩膜版图案与基板图案之间的刚性耦合关係无法从根本上解决翘曲问题。直写光刻技术可扫描整个基板表面,并对基板变形进行实时精确计算,以调整曝光位置及参数。此外,凭藉数字技术的优势,直写光刻技术对基于玻璃基板的新兴先进封装形式(如TGV)表现出高度的兼容性。这有助于提高先进封装的良率水平。

目前,直写光刻设备在先进封装领域处于产业化初期,并已在部分下游先进封装生产线上进行引进及验证。随著全球先进封装工艺的持续发展及直写光刻技术先进性的逐步显现,全球先进封装领域直写光刻设备的市场规模预计将从2024年的人民币约2亿元增长至2030年的人民币约31亿元,複合年增长率为55.1%。

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