突发！半导体巨头，千亿晶圆项目暂停！

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近日，SK海力士做出重大战略调整，决定暂停其在清州新建的M15X DRAM生产线的投资计划。这一决策背后，是该公司对市场动态和自身业务发展的深度考量与权衡。

SK海力士最初有着宏大的规划，打算在M15X生产线快速部署第六代10纳米级（1c）DRAM工艺，同时生产DDR5和HBM4E基础芯片，实施“双轨战略”。M15X自2022年起在清州开工建设，作为SK海力士下一代DRAM专用晶圆厂，备受业内关注。业内人士普遍预测，它将成为1c工艺的关键枢纽。因为1c工艺不仅适用于通用DDR5和LPDDR5工艺，更是HBM4E基础芯片的核心基础。而基础芯片对于高带宽存储器（HBM）而言，就如同“大脑”一般重要，向1c工艺的过渡直接关系到SK海力士能否在HBM领域持续保持领先地位。

然而，计划赶不上变化，时间表成为了最大的变数。由于全球客户对产品的认证以及良率稳定进程比预期缓慢，HBM4E的全面量产被推迟至2026年之后。这意味着，即便M15X能够迅速完成专用1c产线的部署，在短期内其收入贡献也将微乎其微。与之形成鲜明对比的是，现有的1b型HBM芯片在AI服务器需求不断增长的强劲推动下，有望迅速提升利润。一位业内人士评论道：“鉴于HBM4E已确认延期，调整M15X的建设速度已是必然。短期内，利用1b型HBM芯片实现盈利最大化是明智之举。”

实际的市场趋势也充分印证了SK海力士的战略评估。随着NVIDIA和AMD等主要AI芯片客户对HBM3E的需求呈现出爆发式增长，SK海力士发现仅依靠现有的生产线根本无法满足市场需求。目前，SK海力士在HBM3E市场的份额超过60%，实际上已经垄断了NVIDIA的供应链。在这种情况下，将新的资源集中投入到基于1b的HBM生产上，以实现短期盈利的最大化，成为了SK海力士唯一的战略选择。

从更宏观的市场需求来看，全球DRAM通用市场的需求复苏依然乏力，电动汽车和移动设备等通用存储器市场的增长率也仅仅维持在个位数。而与之形成强烈反差的是，受AI服务器和数据中心需求的有力驱动，HBM市场每年保持着超过40 - 50%的增长速度。对于SK海力士来说，将资源投入到HBM领域，相较于通用DRAM，能够获得更高的效率回报。

不过，SK海力士也清醒地认识到，1c工艺是DDR5和LPDDR5等通用产品以及HBM4E基础芯片的核心技术。因此，保持与三星电子和美光等竞争对手的长期竞争力至关重要。如果此时仓促扩建生产线，可能会面临诸多风险。所以，从风险管理的角度出发，SK海力士决定在监控客户认证和良率验证结果的同时，逐步扩大产量。

一位内存行业人士表示：“HBM4E的延迟让海力士在短期内保持了谨慎的投资态度，但从中长期来看，技术差距缩小的风险也不容忽视。”他还补充道：“最终，海力士全面扩建1c生产线将成为HBM4E竞争格局的分水岭。”

值得一提的是，M15X是SK海力士投资高达20万亿韩元（约合1026亿元人民币）建设的大型晶圆厂，占地面积约6万平方米。如此大规模的投资和建设，原本承载着SK海力士在DRAM领域进一步拓展的雄心壮志，如今却因市场变化和战略调整而暂时搁置。未来，SK海力士将如何平衡短期盈利和长期竞争力，M15X又将何时重启建设并发挥其应有的作用，都成为了行业关注的焦点。

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