9月3日科技区角报道，SK海力士与ASML周三早间宣布，已在韩国利川M16工厂完成半导体行业首台TWINSCAN NXE:5200B高数值孔径极紫外光刻系统的组装。该设备初期将作为下一代制程技术的开发平台，数年后将投入采用尖端工艺的DRAM量产。对SK海力士而言，率先部署这款配备0.55数值孔径光学系统的EUV设备，使其在DRAM技术领域跃居领先地位，超越美光、三星等主要竞争对手，并在全球半导体行业中占据技术高地，多数企业目前仍依赖0.33数值孔径的EUV系统。"关键基础设施的引入将助力我们实现长期追求的技术愿景，"SK海力士研发主管车宣龙表示，"我们将借助这项尖端技术，在AI内存领域巩固领导地位，满足高速增长的AI与新一代计算市场需求。"ASML的TWINSCAN EXE:5200B高数值孔径极紫外光刻系统采用0.55数值孔径镜头，实现了8纳米分辨率，相较于当前低数值孔径EUV工具的13纳米分辨率，该技术可使晶体管尺寸缩小1.7倍，并在单次曝光中实现2.9倍更高的晶体管密度。虽然低数值孔径工具可通过成本高昂的多重曝光达到同等效果，但高数值孔径EUV简化了光刻步骤（尽管需应对新的技术挑战）。鉴于高数值孔径EUV设备能避免双/三重EUV曝光，NXE:5200B将首先用于加速下一代DRAM的快速原型开发，这些DRAM仍需依赖现有低数值孔径EUV和深紫外光刻（DUV）技术实现。待相关工艺成熟后，该设备才会被用于必须采用高数值孔径EUV才能保证良率和生产周期的开发环节。ASML在投资者会议中预测，DRAM制造商将在2030年代逐步过渡至高数值孔径EUV设备。快速原型开发显著加速了下一代工艺技术的演进。高数值孔径EUV设备能以远超现有低数值孔径EUV工具的效率，对DRAM结构，如电容沟槽、位线、字线进行精细化原型验证，这为SK海力士的研发工作提供了关键助力。从长远看，SK海力士可通过该设备测试光刻极限、开发新型布局方案，并评估未来必须采用高数值孔径EUV工艺节点所需的新材料，从而在实际量产前完成技术储备。而对于ASML以及产业界，首台TWINSCAN NXE:5200B的成功商业化部署，也标志着光刻设备赛道的重要里程碑已经完成。
