三星，跌至第三

有预测显示，三星电子在高带宽存储器（HBM）市场的份额有望在明年突破30%。尽管今年上半年三星的表现不及预期，落后于 SK 海力士和美国美光科技，但分析师预计，随着其下一代产品 HBM4 全面进入 英伟达供应链，三星的出货量将迎来增长。

根据市场研究机构 Counterpoint Research 9 月 24 日发布的最新存储半导体数据显示，第二季度 SK 海力士以 62% 的市场份额位居 HBM 市场第一，美光以 21% 排名第二，三星电子以 17% 位列第三。这意味着全球 HBM 产品有 八成出自韩国企业。

Counterpoint 预测，尽管三星电子第二季度的市场份额低于预期，但明年有望突破 30%。原因在于其 HBM3E 产品即将通过主要客户的认证，并且凭借 HBM4 出口进一步扩大市场份额。

三星电子已推出基于 10nm 级第六代（1c）DRAM 工艺 的 HBM4，并结合 4nm 代工工艺。今年 7 月，三星完成了基于 1c 工艺的 HBM4 开发，并向主要客户出货样品，预计将在年底前建立量产体系。据悉，三星开发的 HBM4 通过提升存储单元集成密度，功耗效率较上代提升 40%，数据处理速度可达 11Gbps。随着研发完成，三星也重启了此前因“规模经济”战略而暂停的 平泽工厂 P5 建设。

Counterpoint 预计，随着 HBM4 的推出，韩国企业在 HBM 市场的主导地位将进一步巩固。作为现任 HBM 市场龙头的 SK 海力士，已完成 HBM4 开发并建立量产体系，一旦通过质量测试，将被应用于英伟达计划于明年底量产的下一代 AI GPU Rubin。与此同时，中国大陆企业正尝试追赶，但由于技术难度高，HBM 产品尚未实现成熟量产。

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