存储巨头，想用FinFET做闪存

三星电子计划在 NAND 闪存中引入FinFET（鳍式场效应晶体管）工艺。这意味着公司希望开发出更大容量、适用于 AI（人工智能）芯片组的高性能 NAND 闪存。不过，业内预计，这一技术距离实际应用仍需要一段时间。

三星电子 DS（设备解决方案）事业部首席技术官（CTO）宋在赫（Song Jae-hyuk）于 10 月 22 日在首尔江南区 COEX 举行的 “半导体大展（SEDEX）2025” 上，以主题演讲嘉宾身份发表了题为《通过协同实现半导体创新》的演讲。

宋在赫表示：“如今我们正聚焦于在有限的晶体管堆叠面积上，实现客户所要求的性能与功耗水平的技术创新。”

在这些核心创新技术中，FinFET 是关键之一。FinFET 是一种三维结构工艺技术，为克服传统 平面（2D）结构的局限而引入。其形状类似鱼的鳍，因此得名 “FinFET（鳍式晶体管）”。

目前，FinFET 主要用于晶圆代工（Foundry）领域，也被认为有望应用于 3D DRAM。

而此次 在 NAND 闪存中引入 FinFET 工艺 的宣布，是首次公开提出。如果 FinFET 工艺应用于 NAND，将大幅提升与现有存储器相比的集成度。在半导体中，集成度越高，意味着单位面积可容纳的元件越多，性能越强。信号传输速度会更快，功耗更低，芯片尺寸更小，从而使空间利用更加高效。换言之，与传统平面（Planar）工艺相比，FinFET 能让 NAND 闪存实现 更大容量与更高速度。

韩国半导体工程学会会长申贤喆（Shin Hyun-chul） 表示：“在 NAND 中应用 FinFET，意味着要让 NAND 尺寸更小。通过提升集成度，就能增加存储容量。”

宋在赫还强调，为推动此类技术创新，半导体产业之间必须深化协作，以减少对多样化半导体技术的不必要资源消耗。

他指出：“过去可能由 10 个部门就能完成的工作，现在必须由 20 个、甚至 30 个部门协同才能实现，可见技术复杂度正在急剧提升。我们将通过跨越边界的协作，实现真正的创新。”

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