三星首发 HBM4，SK 海力士展示竞争方案

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在韩国举办的 SEDEX 2025 展会上，三星电子（Samsung Electronics）与 SK 海力士（SK Hynix）双双发布下一代高带宽内存（HBM4），其中三星首次在韩国本土公开 HBM4 样品。作为存储领域的两大领军企业，二者针对 AI 存储下一阶段发展展现出截然不同的技术策略，此次发布引发业界高度关注。

HBM4 集成了一块基础逻辑裸片（base logic die），该裸片负责数据信号控制，以及在 DRAM 与 GPU 之间实现供电传输。三星力求凭借 4 纳米制程工艺与 1c DRAM 堆叠方案形成差异化优势；而 SK 海力士则聚焦量产稳定性，采用台积电 12 纳米制程工艺，搭配 1b DRAM 堆叠技术。

在展会入口处，三星将其 HBM3E 与 HBM4 并排展示以对比规格参数，可见 HBM4 尺寸略大。SK 海力士则通过放大模型与视频演示，直观呈现产品结构，包括硅通孔（TSV）与 MR-MUF 技术等细节。

SK 海力士通过放大模型展示 HBM4 样品，以呈现其技术结构。图片来源：DIGITIMES

行业消息人士指出，HBM4 的I/O端子数量翻倍至 2048 个，为保障稳定性，芯片尺寸需相应增大，这一趋势预计在后续迭代产品中仍将延续。

SK 海力士是率先实现 HBM3 与 HBM3E 量产的企业，目前仍是英伟达的主要 HBM 供应商；而三星在 HBM 量产良率方面仍面临挑战。根据 Counterpoint Research 数据，2025 年第二季度，SK 海力士以 62% 的出货量份额领跑 HBM 市场，美光（Micron）以 21% 紧随其后，三星则以 17% 位居第三。

预计从 2026 年起，HBM4 将为英伟达下一代 AI 加速器 Rubin 提供支撑，这也为存储市场开辟新的竞争赛道。若三星能实现 HBM4 稳定量产，其市场份额有望提升至 30%；而英伟达也将受益于更广阔的供应链，降低采购成本。

此前业界曾预期，三星将在 10 月 27 日至 31 日于韩国龙仁市举办的 “2025 三星科技展”（Samsung Tech Fair 2025）上首发 HBM4—— 该展会是三星展示新技术的内部活动。此次提前公开样品，凸显出三星攻克当前 HBM4 量产难题的决心。

除 HBM 外，两家企业还展示了多款聚焦 AI 应用的存储产品，包括 GDDR7、DDR5 以及高密度 SOCAMM 模组。三星重点呈现了其更广泛的系统级半导体与封装技术；SK 海力士则通过互动式展品吸引观众，让技术更易于理解和接触。