钨价在过去五个月翻了一番，给这些天然气生产商带来了成本压力。
据韩国媒体TheElec 获悉，为应对中国限制稀土出口导致钨价格飙升，特种气体生产商已通知韩国芯片制造商，明年将提高六氟化钨 (WF6) 气体的价格。
消息人士称，SK Specialty、Foosung、Kanto Denka Korea 和其他气体生产商最近已通知三星、SK 海力士、DB Hitek 和 Magnachip，他们明年将把WF6 的价格提高 70% 至 90%。
他们表示，这是因为钨价在过去五个月翻了一番，给这些天然气生产商带来了成本压力。他们补充说，日本天然气生产商以汇率不利为由，将价格提高了90%。芯片制造商知道钨的价格上涨，因此或多或少愿意接受六氟化钨价格的上涨。
六氟化钨(WF6) 是芯片生产中化学气相沉积 (CVD) 工艺的核心气体，该工艺会在晶圆上沉积一层钨层。硅晶圆顶部形成无数通道，用于传输电信号。这些通道被绝缘层覆盖，并与其他金属层连接。钨用于覆盖这些连接过程中产生的孔洞和缝隙。六氟化钨(WF6) 在沉积机腔室内与等离子体和氢气发生反应，转化为金属钨。钨通常用于逻辑和 DRAM 生产，以及结构复杂的 3D NAND 芯片。
开采黑钨矿后，去除其中的杂质，提取三氧化钨。黑钨矿是一种含有钨元素的氧化钨矿物。加工三氧化钨后，将其转化为仲钨酸铵(APT)，这是一种粉末前体，可用于生产钨金属或钨复合材料。气体生产商 SK Specialty 和 Foosung 进口这些 APT，并将其与氟化物气体反应，转化为六氟化钨 (WF6) 气体。
分析师指出，存储芯片制程对钨气体的依赖度高，广泛应用于逻辑芯片（Logic）、DRAM，以及结构复杂的3D NAND制造中，因此，WF6价格上涨对存储芯片成本确实有显著影响。
问题在于，全球超过80%的钨金属开采和加工都在中国进行。自2月份以来，中国对钨和其他“战略矿产”实施了出口许可证政策。这导致钨价格飙升。据中国钨业协会统计，截至9月初，钨矿石价格较年初上涨了95%，达到每吨28万元人民币。同期，APT价格也上涨了90%以上，达到每吨40万元人民币。
消息人士称，六氟化钨价格上涨并非暂时的冲击，而是表明供应链发生了根本性变化。他们还表示，一些气体生产商可能会从自身价格上涨中获得短期收益。
据估计，全球芯片行业每年消耗约7,000至8,000吨六氟化钨。SK Specialty的产能为每年2,000吨；Foosung为900吨；日本关东电化为1,400吨；中国的Peric为2,200吨。
成本压力下的产能竞速：SK海力士加速HBM布局在材料成本飙升的背景下，以HBM 为代表的高端存储领域正上演产能扩张竞速。
今年10月，SK 海力士已将首批设备投入其新晶圆厂 M15X。这比公司最初计划的提前了两个月——设备将于 12 月开始运入工厂。此举可能是为了加速扩大其高带宽内存（HBM）的生产能力，HBM 是一种在人工智能应用中需求量很大的内存芯片。
SK海力士斥资超过20万亿韩元在M15附近建设M15X。这家韩国芯片制造商预计将专注于制造 1b DRAM，用作 HBM3E 的核心芯片。消息人士称，该晶圆厂每月可生产10亿片DRAM晶圆，产能为3.5万片。SK海力士预计将进一步扩大产能至每月5.5万至6万片晶圆。
SK海力士去年年底开始为该工厂下达设备订单。其利川工厂的部分DRAM员工已迁至忠州工厂，负责设备安装和工厂建设准备工作。M15X 还拥有比现有晶圆厂更大的洁净室，因为制造 HBM 所需的产能比制造传统 DRAM 更大。
消息人士称，除了M15X 之外，SK 海力士还在筹备位于美国印第安纳州的龙仁工厂和先进封装工厂。SK海力士上个月表示，已经完成HBM4的开发并准备大规模生产。
份额争夺战升级：三星以价换量应对被动局面与 SK 海力士的产能扩张策略形成鲜明对比的是，三星电子正以激进的价格战应对 HBM 市场的被动处境。据Digitimes报道，存储龙头三星电子将针对12层HBM3E推出30%的降价策略，以试图抢占市场。
“价格战”背后的逻辑是三星产品良率爬坡速度缓慢导致的市场份额落后。直到今年9月，三星12层HBM3E产品才通过英伟达测试，并正式开始供应，预计今年第四季度出货量将达到数万片。
三星HBM3E出货时间仍然明显落后于SK海力士、美光等存储厂商。公开资料显示，早在2024年，SK海力士便已通过良率测试，并确定向英伟达供应HBM3E产品，今年上半年更是实现了16层HBM3E的量产供货；另有消息称，今年6月，美光HBM3E的良率已提高至70%以上，且预计出货量超过8层HBM3E。
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