在电子设计中，电源接反是个“老大难”问题，轻则烧元件，重则全军覆没。而PMOS防反接电路以其简洁高效，成为了电路设计的“护城河”。接下来我们就从原理设计结合仿真验证看看电路的防反效果。电路中，V1为电源输入，PMOS（M1）源极经R1 100K接地，PMOS栅极-源极并联稳压二极管D1，R2相当于后级等效负载。正向接通时，PMOS导通，电流流向LOAD R2。接反时，PMOS关断，保护负载。这正是PMOS“以静制动”的妙处。V1是电源输入，假设是正向接法（正极接+，负极接-）。此时，PMOS的源极Source通过自身的体二极管接到V1的正极，栅极Gate通过R1接到地。PMOS进入导通状态，电流顺利流向LOAD，电路正常工作。
如果不小心接反了呢？V1的正极接-，负极接+，正负电源通过PMOS体二极管隔断。PMOS关断，电流无法通过，后级电路安然无恙。
PMOS选型时耐压和电流需匹配电源，考虑到电源端一般有浪涌脉冲，所以PMOS前面一般要加TVS二极管进行防护，避免PMOS被浪涌脉冲打坏。PMOS本身的耐压要大于电源电压最大值，PMOS的通流能力要满足后级负载的最大电流。若负载电流较大，PMOS的导通电阻Rds(on)会产生压降，影响效率。可以考虑并联多个PMOS，或者选低Rds(on)的型号。长时间工作要散热设计，别让它“热得冒烟”。R1作用：R1的大小会影响PMOS的开启速度，不过PMOS是工作在长时导通状态，所以R1取100k影响也不大，同时也能降低待机功耗，比较这个R1可是一直在耗电流。D1选择15V左右的稳压二极管，主要是因为PMOS栅-源耐压能力一般最大是20V，没这个稳压管，那PMOS可是很容易损坏的。当然了不同的PMOS型号，VGS耐压也不一样，自己注意看规格书。从下面的仿真波形可以看出，当输入电源电压小于0V时，输出端是没有电压的，从而可以有效保护后级电路！
