在全球半导体产业的话语体系中，EUV（极紫外）光刻机，几乎已经被塑造成一座“技术珠峰”。谁能登顶，谁就掌握了先进制程的入场券；谁被挡在门外，谁就只能在7nm之后步履维艰。 正是在这样的背景下，近期多家日本媒体和产业评论员再次把目光投向中国，并给出了一个颇具争议、但并非空穴来风的判断：中国EUV光刻机推进缓慢，在现实条件下，与日本展开技术合作，或许是一条更务实的路径。 这番话，在国内舆论场听起来并不“顺耳”，但如果把情绪放一边，单从产业结构与技术分工来审视，它并非毫无道理。 很多人低估了EUV光刻机的复杂性。它不是“放大版”的DUV，也不是靠某一项天才发明就能突破的设备，而是一个高度系统化的工业结晶。 一台EUV光刻机，零部件超过10万个，关键子系统涉及：等离子体EUV光源、超高反射率多层膜反射镜、皮米级运动控制系统、真空系统与污染控制、复杂的软件与算法协同。 目前，全球唯一能稳定量产EUV整机的企业只有一家——ASML，但ASML并不是独立完成的。它的EUV，本质上是一个国际工业协作的产物。 在EUV产业链中，日本的存在感，远比很多人想象得更高。几个关键事实必须正视： 第一，日本掌控EUV光刻胶命脉。全球高端EUV光刻胶，长期由JSR、东京应化（TOK）、信越化学等日企主导。即便在美国和欧洲，先进制程也高度依赖日本光刻胶体系。 第二，日本在精密光学与材料上有不可替代性。EUV反射镜所需的多层膜材料、部分关键检测与测量设备，日本企业在多个细分环节拥有世界级积累。 第三，日本厂商曾深度参与中国光刻生态。佳能、尼康在DUV时代长期服务中国晶圆厂，日本设备、材料与服务体系，曾是中国半导体制造的重要一环。只是近几年，在地缘政治压力下，这条通道被显著收紧。 换句话说，日本并不是EUV“局外人”，而是隐形的关键参与者。 必须承认，中国在EUV方向上并非毫无进展。近年来，在光源、光学材料、精密控制等多个子领域，国内科研机构和企业已经取得阶段性突破，一些原理样机、实验系统也频频见诸报道。 但问题在于：EUV不是实验室项目，而是工程化、量产化的极限挑战。目前中国面临的核心瓶颈，集中在三点：1.系统集成经验严重不足。EUV的难点不在“单项技术”，而在“十万零件长期稳定协同”。2.关键材料与设备链条仍存在断点。哪怕90%国产，只要10%卡脖子，就无法形成闭环。3.时间成本极其高昂。ASML从原理验证到量产，用了二十多年；中国即便全力推进，也很难在短期内完成同等积累。 这也是日本评论员反复强调的一点：不是中国做不到，而是单打独斗的代价极其高昂。 日本的优势集中在“非整机、但不可或缺”的环节。光刻胶、精密检测、光学材料——这些领域更容易通过联合研发、技术合作、间接授权等方式展开，而不必触碰整机禁区。日本半导体复兴高度依赖海外市场，中国仍是全球最大的半导体消费国之一。完全切断合作，并不符合所有日本企业的利益。因此，在一些日本评论员看来：与中国展开有限、务实、分层次的合作，反而比全面对抗更理性。 对中国而言，更现实的路径可能是：核心方向坚持自主研发，在关键材料、设备、工艺环节，通过合作缩短学习曲线，用时间换空间，用合作换积累，最终形成可控、可替代的完整体系。 EUV不是靠口号解决的。它需要耐心、时间、工程能力，也需要在复杂的国际产业链中，找到对自己最有利的突破口。中国半导体真正的底气，不在于“什么时候宣布成功”，而在于是否走在一条可持续、可积累、可复制的道路上。
