0.2μA关断电流、-25mV瞬态跌落！新一代国产DC-DC性能刷新

电子发烧友网报道（文/莫婷婷）近年来，随着人工智能、物联网、可穿戴设备、边缘计算及高端制造等领域的迅猛发展，对电源管理芯片——尤其是DC-DC转换器——提出了更高效率、更小体积、更低功耗和更强可靠性的综合要求。就在近期，国内半导体企业加速技术突破，希荻微、南芯科技、智浦欣等厂商密集推出多款高性能DC-DC新品。

希荻微 HL7547：输出电流可达1A

希荻微推出的HL7547是一款面向便携式终端的1A同步降压DC-DC芯片，专为智能手表、健身追踪器等空间受限、续航敏感的应用设计。其输入电压范围为2.3V–5.5V，支持0.3V–1.3V动态电压调节（DVS），步进精度达10mV，输出电压精度达1%，并可通过VSEL引脚或I²C接口灵活配置。

极致低功耗是其亮点之一，HL7547的工作静态电流仅3.3μA，关断电流低于0.2μA，在1mA轻载下转换效率仍超过92%。配合1.54mm×0.77mm的WLCSP超小封装与1.5MHz高开关频率，显著缩减外围元件体积，实现小型化。

在集成度方面，HL7547集成了功率MOSFET、软启动电路及UVLO、过流、短路、热关断多重保护。

南芯科技 SC813XX系列：4mm²，封装面积缩小约70%

南芯科技发布了SC813XX系列（含4A/6A/8A三档）同步降压转换器，能够支持24V宽输入（4–24V），具备高效率与卓越瞬态响应等特点。

根据官方介绍，SC813XX系列采用创新改进型RBCOT控制架构，在负载突变时输出电压波动极小，保障SoC、内存等敏感负载的供电稳定性。官方给出测试数据SC81360 在负载从 0A 快速上升至 3A（负载瞬态变化率 SR = 2A/μs）时，其输出电压跌落仅为约 -25mV，显著优于同规格的竞品。

在瞬态响应测试中，输出电压跌落越小，说明芯片的瞬态响应能力越好，能够更快地恢复输出电压稳定，能够保障下游敏感负载（如CPU、GPU、FPGA等）的供电稳定性。

图：SC81360 与同规格竞品瞬态表现对比

SC813XX系列采用 QFN 2*2 封装的封装面积仅为4mm²，相较传统ESOP8封装缩小近70%，却能持续输出8A电流。同时，99.5%的最大占空比与低 RDSON的结合，使其在USB PD、拓展坞等需“直通模式”的场景中压降极低，系统成本大幅优化。

SC813XX系列在散热方面，具备明显的优势，根据南芯科技的数据，SC81340S 满载温升比竞品低10℃以上。这主要是得益于内部集成低内阻 MOSFET 以及优化的驱动设计，降低器件损耗的同时减少发热损耗。

智浦欣 CS5715E：36V高输出

不同于前两者聚焦降压，智浦欣的CS5715E是一款异步升压DC-DC控制器，专为单节锂电池供电系统设计。其输入范围宽达2.7V–26V，输出电压最高可达36V，可用于驱动LED背光、快充移动电源或多串电池充电等高压场景。

CS5715E集成栅极驱动引脚，通过采样MOS漏极电压实现峰值电流限流，直接采样NMOS漏极电压，无需外置大功率采样电阻，有效降低发热与BOM成本。

官方介绍，CS5715E还具备高精度和可编程性。在精度方面，误差放大器基准电压精度达±1%。在可编程性方面，开关频率可在100kHz–1MHz间编程，软启动可调，关断电流仅3.5μA。产品还具备OCP、UVP、OTP等多重保护机制。这一设计不仅提升能效，还简化了工程师的外围电路布局。

从芯片到 IP，国产DC-DC趋向高能效、快响应、微型化

可以看到，希荻微、南芯科技与智浦欣各自推出的三款产品精准锚定不同应用场景：前者深耕超低功耗可穿戴市场，中者聚焦高性能紧凑型消费与工业电源，后者则在升压控制器赛道实现架构创新。

当前国产DC-DC芯片发展的三大趋势：一是通过先进封装、低阻器件降低损耗，实现高能效与低功耗、微型化共同推进；二是控制架构持续演进，例如南芯科技的RBCOT技术显著提升瞬态响应；三是系统级集成与智能化，增强与主控芯片的协同能力。

更值得关注的是，DC-DC技术的国产化进程已从分立芯片延伸至IP核与模块化层面。就在12月，锐成芯微发布多相位DC-DC IP，具备更低电压、更大电流、更快响应、更低噪声的特点。

锐成芯微介绍，这是一款采用自适应恒定导通时间架构的 BUCK DCDC IP，负载从 0.1A 阶跃至满载时，输出电压波动仅 30mV，最低输出电压可配置到0.2V，静态功耗低至5uA，支持最大负载电流1-5A定制。专为FPGA、AIoT、智能座舱等大电流场景服务。

当前，国产DC-DC产业正构建起从底层IP、通用芯片到高可靠模块的完整生态。未来，随着国产替代加速与新兴应用爆发，高性能、高可靠性与自主可控的电源解决方案。

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