7月12日,银河微电发布公告称,常州银河世纪微电子股份有限公司为提高公司集成电路分立器件产品的生产加工制造能力,扩大集成电路分立器件产品的生产规模,拟以自有资金人民币3.1亿元投资实施“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目”。

项目名称:高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目
项目金额:项目总投资估算约人民币3.1亿元
实施地点:江苏省常州市新北区薛家镇
建设周期:30个月,具体建设周期以项目基础全面动工开始计算
建设内容:计划通过购置土地及开展厂房土建工程,为后续高端集成电路分立器件产业化基地建设奠定基础。
据悉,银河微电采用IDM模式,公司具备IDM模式下的一体化经营能力,整合芯片设计、制造与封测环节,形成“设计-制造-封测”一体化能力,提升产品性能与成本控制效率。公司可为客户提供定制化的封测代工业务,满足不同客户的特定需求。
作为国内领先的半导体分立器件制造商,银河微电主要产品包括小信号器件、功率器件、光电器件、电源管理IC及第三代半导体(SiC、GaN)器件,产品广泛应用于汽车电子、消费电子、工业控制、新能源及5G通信等领域。
为抢抓市场机遇,银河微电持续加快高端产品研发及产业化进度。目前,公司初步具备SiC MOSFET及GaN HEMT芯片设计能力,并且实现了小批量应用。
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