SK海力士于4月21日宣布，NAND闪存开发事业部负责人郑宇杓在首尔韩国科学技术中心举行的“2026年科学与信息通信日纪念仪式”上荣获科学技术勋章。
此次活动旨在庆祝科学日和信息通信日，表彰为科学技术和信息通信发展做出贡献的个人。
郑宇杓因其在33年间领导DRAM和NAND闪存（以下简称NAND）的研发，并创造了多项世界第一技术，将韩国国内存储半导体产业的竞争力提升至世界最高水平而获此殊荣。
在他职业生涯的前15年里，他参与了DRAM的研发，领导开发了全球首款512Mb移动DRAM，并在韩国成为全球DRAM市场强国的过程中发挥了关键作用。之后，他转战NAND领域，领导开发了连续八代产品，从第二代3D NAND（32层）到第九代4D NAND（321层）。
尤其值得一提的是，公司在2011年率先研发出全球首款21nm NAND，随后从2014年起陆续推出了32层、48层和64层NAND，引领了从2D到3D的技术转型。在此过程中获得的超高速运行电路和低功耗设计技术，为3D NAND的广泛应用奠定了基础。
此后，技术创新持续不断。该公司通过2019年推出128层NAND闪存、2021年推出176层NAND闪存、2022年推出238层NAND闪存，不断增强其在高性能和高集成度领域的竞争力。2024年，该公司再次突破技术极限，开发出全球首款321层1Tb（太比特）TLC NAND闪存，成为业界层数最高的NAND闪存。
郑宇杓在设计方法创新方面也做出了贡献。他彻底改造了仿真系统，并自主开发了基于可编程半导体（FPGA）的验证工具，提高了设计效率和完整性，从而缩短了下一代产品的开发周期。目前，他正领导下一代NAND闪存及应用产品“AIN-P·B·D”的开发和商业化，以满足人工智能时代对数据日益增长的需求。他还致力于通过产学研合作，保障核心技术并培养人才。
郑宇杓分享了他的感受，他表示：“我们能够率先突破技术瓶颈，按时将新一代产品推向市场，离不开同事们的奉献和辛勤付出，他们与我并肩作战，展现了坚韧不拔的精神。” 他补充道：“我获得这枚奖章并非代表我个人，而是代表所有共同谱写SK海力士技术创新历史的成员。”
韩中工商联盟总会成立于2008年7月20日，由韩国山东商会更名，成员包括中韩两国企业家、政治家、科研专家学者共同发起成立的国际性经贸合作组织。
总会旨在推动中韩两国在经济、科技与产业领域的深度合作与交流，致力于打造高层次、多维度的国际合作平台，促进资源整合与产业协同发展。
在重点发展领域方面，总会积极布局高科技产业板块，涵盖生物医药、人工智能（AI）、半导体与存储等前沿领域。围绕三星电子与SK海力士等全球领先企业的产业资源，推动内存、芯片及相关技术的合作与流通，并协同中国区域内的授权代理公司与供应链体系，促进中韩半导体产业的高效对接与合规发展。
同时，总会广泛汇聚中韩两国在企业、科研、金融及产业界的优质资源，为会员单位提供政策对接、项目孵化、产业落地及跨境合作等全方位支持，持续提升中韩经贸合作的深度与广度。
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