如何用英飞凌 TRENCHSTOP™ IGBT7 来减少并联器件数量

英飞凌工业半导体 2026-06-05 17:23

本视频聚焦英飞凌TRENCHSTOP IGBT7大电流器件在驱动应用中的功率密度与系统尺寸优化。比较了应用TO‑247 PLUS封装的75/100/120A器件,与并联的TO247-3封装的40A器件的下功率密度,并在标准条件下评估了两种热界面材料对功率密度的提升效果。结果显示:120A器件配硅导热片功率密度提升约75%,配陶瓷导热片可达约120%,在保持系统尺寸不变的前提下实现更高额定功率,并有望进一步缩小系统尺寸T7/S7的短路耐受能力提供高可用性、短路鲁棒性与精确控制,电流覆盖3–120A,适用于驱动应用。更少器件即可获得更强性能,助力简化设计并提升可靠性。


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如何用英飞凌 TRENCHSTOP™ IGBT7 来减少并联器件数量图1
如何用英飞凌 TRENCHSTOP™ IGBT7 来减少并联器件数量图2
如何用英飞凌 TRENCHSTOP™ IGBT7 来减少并联器件数量图3

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