三星电子（005930）宣布，将在其第八代高带宽内存（HBM）产品“HBM5”中引入先进的2nm制程工艺和新一代散热技术“隐藏路径块”（HPB），以控制下一代芯片的发热量并最大限度地提高能效。
为了提前确保作为HBM4E和HBM5核心的1c DRAM（10nm级第六代）的产能，该公司已确认将于今年7月在其位于京畿道平泽的多晶圆厂园区内启动“P5 Fab 2”项目，比原计划提前六个月。此举旨在通过涵盖从半导体设计到存储器生产和先进封装的“一站式”竞争力，抢占人工智能（AI）半导体市场的先机。
据业内人士6月5日透露，三星电子正在其新一代HBM5封装工艺中应用一种名为HPB的新型散热技术。
HPB是一种新一代技术，能够快速将HBM底部产生的高温分散并散发到芯片外部。其工作原理是通过在芯片内部增加新的物理热传递路径来降低内部热阻。
HBM采用多层芯片垂直堆叠的结构。由于这种结构，需要散热能力来控制层间滞留的热量。
HPB通过防止热量在芯片间的微小缝隙中滞留，从而有效防止存储器件的性能退化。预计通过创造一个保持温度稳定的环境，HPB将降低整体功耗并提高数据处理速度
此前，三星电子已在空间有限的移动领域率先应用了HPB技术。与现有封装相比，应用HPB技术的三星移动封装的散热性能提升了16%。
三星电子还计划率先将其业界领先的2纳米技术应用于HBM5基础芯片。该计划旨在将1c DRAM核心芯片与2纳米基础芯片集成于单个单元中，从而将数据处理速度和能效提升至极致。
三星电子拥有交钥匙工程能力，能够自主完成从半导体芯片设计到存储器制造和先进封装的所有环节。其优势在于能够通过内部协调工艺优化来缩短芯片开发周期，而无需依赖外部代工厂。
业内人士认为，下一代存储器市场对定制芯片的需求正在增长。预计能够集成先进微处理和新型封装技术的交钥匙工程能力将决定全球半导体市场的竞争力。
为应对不断增长的需求，三星电子正在加速大规模扩张。三星电子将于7月启动其平泽工厂最后一条生产线——P5 Fab 2的建设。这将使原定于2027年初的计划提前约6个月。该建设项目与去年底复工的P5 Fab 1同步进行。
P5 Fab 2计划于2029年投产，计划建设为一座能够灵活应对市场变化的多功能晶圆厂。预计该厂将配备全系列产品，包括旗舰级HBM、下一代DRAM、NAND闪存以及先进工艺代工产品。
KB证券研究主管金东元预测：“预计2027年，存储器市场将面临更加严峻的供应短缺和价格上涨势头。”他补充道：“由于价格谈判正在进行中，以反映与通用DRAM利润率差距的缩小，预计HBM价格将同比上涨50%以上。”
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