兆驰、聚灿等5企公布Micro LED新专利

进入7月，兆驰半导体、聚灿光电、秋水半导体、星宇车灯、新视通等企业陆续公示Micro LED相关专利最新进展。

专利涉及Micro LED外延及芯片、光通信器件、Micro LED晶圆级定位系统等，致力于提升Micro LED发光效率、红光光电性能、散热效率、检测效率，同时丰富光通信器件的使用功能。

■ 兆驰半导体：一种LED外延片制备方法及Micro-LED

7月3日，江西兆驰半导体有限公司“一种LED外延片制备方法及Micro-LED”相关专利进入审中公布阶段。

公告显示，该发明通过制备InGaN层/InN层/AlGaN层/GaN层的周期性叠层结构的多量子阱层，InGaN层作为势阱层使得电子和空穴在此处复合参与发光，厚度超薄设计可以改善极化和降低QCSE。

同时厚度超薄设计也可以减少由于高In组分导致的铟偏析，InN层一方面可以提高In的有效并入，另一方面充足的NH3可以进一步和析出的In原子反应生成InN形成有效并入，在保证晶体质量的情况下提高In组分，另外，AlGaN层作为‌高势垒层‌可有效限制电子，而GaN层则提供空穴富集通道，从而提高了发光效率。

■ 聚灿光电：一种红光micro发光二极管外延片及其制备方法

7月3日，聚灿光电科技（宿迁）有限公司的“一种红光micro发光二极管外延片及其制备方法”进入审中公布阶段。

本发明属于发光二极管半导体领域。包括衬底和在衬底上依次生长的P型GaAs缓冲层、P型GaInP腐蚀截止层、P型GaAs欧姆接触层、P型GaInP电极牢固层、P型AlGaInP电流扩展层、P型AlInP限制层、P型AlGaInP波导层、P型电子阻挡层、量子阱层、N型AlGaInP波导层、N型AlInP限制层、N型AlGaInP过渡层、N型GaP超晶格扩展层、N型GaP欧姆接触层，通过采用N型和P型掺杂倒置的生长方式，并且N型GaP采用超晶格扩展层即周期性的高温GaP/低温GaP堆叠的复合层的外延结构取代常规的Micro外延结构。

本发明通过对外延结构调整优化来提升Micro 红光产品的光电性能，有效地解决目前国内外在高光效红光Micro发光二极管的难题。

■ 秋水半导体：光通信器件及其制造方法

7月7日，苏州秋水半导体科技有限公司“光通信器件及其制造方法”的专利进入审中公布阶段。

该光通信器件包括载板以及设置于载板上的MicroLED单元和CMOS图像传感单元，MicroLED单元设置有发光阵列以及驱动电路，发光阵列包括阵列式排布的多个发光单元，驱动电路与发光阵列电连接，并设置成控制每个发光单元发送第一光载波信号，CMOS图像传感单元设置有感光阵列以及处理电路，感光阵列包括阵列式排布的多个感光单元，处理电路与感光阵列电连接，并设置成对每个感光单元接收的第二光载波信号进行处理。

通过上述方式，本申请可以丰富光通信器件的使用功能，使得光通信器件所具备高带宽、高兼容性和高可靠性等优点，还可以降低的功耗以及成本。

■ 星宇车灯：一种具有内置双向散热结构的micro-LED芯片及其制备方法

7月7日，常州星宇车灯股份有限公司“一种具有内置双向散热结构的micro-LED芯片及其制备方法”的专利进入审中公布阶段。

本发明涉及芯片技术领域。包括从上至下依次层叠的p型半导体层、发光层、n型半导体层、绝缘层、CMOS基板，以及金属桥热扩散网络，所述金属桥热扩散网络铺设在所述绝缘层和所述CMOS基板之间；所述导热柱在所述p型半导体层和n型半导体层上均有分布，所述p型半导体层上的导热柱顶部处于外露状态；所述n型半导体层上的导热柱底端穿过绝缘层，实现上下双向导热。

同时n型半导体层的导热柱底端与所述金属桥热扩散网络接触将上下双向的散热进一步延伸形成立体散热，并通过导热柱与电极在芯片上的分区分布，进一步提高整体散热效率和散热安全性。

■ 新视通：基于光致发光的Micro LED晶圆级快速缺陷定位系统

7月3日，重庆新视通智能科技有限公司“基于光致发光的Micro LED晶圆级快速缺陷定位系统”的专利进入审中公布阶段。

本发明涉及光学检测技术领域，具体涉及一种基于光致发光的Micro LED晶圆级快速缺陷定位系统，宽光谱脉冲激发模块输出与待测材料特性匹配的脉冲激光；二维扫描平台承载晶圆并实现纳米级精准定位；时间分辨采集模块收集荧光信号并转换为时间分辨光致发光数据；所述数据处理与控制模块同步控制各模块工作，接收并处理所述时间分辨光致发光数据，提取每个检测点位的瞬态发光强度和载流子寿命，基于二者构成的二维特征向量与预设缺陷特征数据库进行比对，判别每个Micro LED芯片的缺陷类型，并生成晶圆级缺陷指纹图谱，能够精准区分外延缺陷、表面态缺陷及电极接触不良等不同类型失效模式，显著提高了检测效率和缺陷分类准确率。

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