13年碳化硅量产经验，泰科天润IDM领军高压SiC器件矩阵

奖项

介绍

公司成立于2011年，是中国碳化硅功率器件产业化领军企业，专业致力于碳化硅器件研发与制造，并提供解决方案。总部坐落于北京，是一家IDM企业，拥有两条碳化硅芯片晶圆生产线。公司拥有13年碳化硅器件量产经验，涵盖研发、制造、工艺、品控、应用方案和销售六个方向。

公司自建可靠性实验室、器件评估实验室、失效分析实验室、系统应用实验室，为客户供给优质产品提供有力保障。泰科天润碳化硅产品覆盖650V~3300V（0.5A~100A）等多种规格，已经批量应用于PC电源、光伏逆变器、充电模块、OBC、DC-DC等多个领域，并屡次获得行业优秀产品奖。

公司质量资质有：ISO9001、IATF16949、RoHS、REACH、UL、DNV·GL、USCG、AEC-Q101等。

介绍

单管器件TO-247-6L    G3M060450N9T  

本产品为全球首款4500V、39A碳化硅MOSFET,芯片面积仅0.39cm^2,Vth=2.75V阀值稳定,在Vg=18V下的Ron低至60mΩ；寄生参数优异,Crss仅4.6pF、Coss=100pF、Ciss=7027pF、Eoss=436uJ,可大幅抑制高压开关震荡与损耗。依托自研终端设计发明专利(202610099504.6),兼顾耐压、导通损耗与开关性能,填补国际同电压电流规格空缺,适配中高压储能,固态变压器、轨道交通牵引变流器,实现高压电力装备小型化、高效化与国产化替代。

产品性能：

全球无同规格对标产品,4500V、39A实现60mΩ低比导通电阻,低寄生电容、输出储能显著由于进口4500V器件。阀值电压适中,高温电阻稳定性強。

价格竞争力：

自研高压SiC芯片工艺,减薄高效元胞缩小芯片面积,目前采用自研开发TO-247-6L配套封裝工艺可降低封裝与散热成本,采购单价较进口同等級耐压分离器件低30%,规模化交付可再降低成本,具备国产化性价比优势

技术亮点与创新：

核心技术创新为终端设计发明专利(202610099504.6)布局与高效元胞布局设计大幅降低芯片面积与Ron,缩小JFET区与JFET工艺抑制栅耦合电容,显著优化Crss与Eoss,突破国外高压SiC基础专利壁垒,拥有完整自主知识产权。

技术支持与服务：

专属电力电子应用工程师团队,提供固态变压器拓谱器件选型、驱动匹配、均压方案咨询;提供全周期可靠性报告、失效分析等服务,快速响应客戶定制开发需求。

核心应用场景及标杆案例介绍：

可适配4KV级及以上固态变压器、中高级储能变压器、轨道交通牵引变流器、海上风能中压变流装备等。

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介绍

“硬核芯”作为国内兼具创新力与行业影响力的芯片评选及产业赋能平台，自2019年创办以来已成功举办七届，累计汇聚超630家半导体原厂、860余款各具特色的标杆产品。

2026年，活动全面升级，首度构建“展·论·评·宣”四位一体的全新范式，旨在发现并表彰优秀中国芯企业，以“AI应用特色展区 + 产业论坛 + 硬核芯奖项 + 全链路媒体”的组合矩阵，打通“芯片设计 → 解决方案 → 终端应用”全产业链，助力中国半导体产业在AI时代实现从技术到场景的规模化落地。

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