ICDIA 2026｜叶甜春：回望产业发展历程，探索新时代创新路径

8月20日上午，2026集成电路设计创新会议（ICDIA 2026）在南京正式开幕，大会以“AI赋能·智创芯未来”为主题，汇聚国内外集成电路产业链上下游专家、企业代表、高校学者与投资机构，共探产业创新发展之路。

国家02重大专项总工程师、中国科学院微电子研究所研究员、国际欧亚科学院院士叶甜春先生在会上带来主题报告。

叶甜春表示，我国集成电路产业走过一条螺旋式上升的发展道路，想要看清未来发展方向，就有必要回望整个产业的发展来路，从历史演进中汲取经验，寻找创新破局的思路。

他在回顾上世纪50-70年代时表示，在国家的十二年科学技术发展远景规划中，半导体被列为四大紧急措施之一。面对外部封锁，以王守武、黄昆为代表的归国科研学者带领国内科研人员，从实验室起步，逐步搭建实验及生产工厂，建立起国内半导体学科、人才与早期工业基础。

进入八九十年代，国内开启对外开放下的产业探索，先后落地33条技术引进生产线，其中909工程引入日方技术与管理力量来建设华虹产线。这一时期大量工厂转型，仅部分科研院所与清华、北大、复旦等高校坚持技术研发，工艺进一步迭代至0.35微米。

2006年国家发布中长期科技发展规划纲要，设立16项科技重大专项。叶甜春作为02重大专项的技术总师，他表示项目经历十余年，工艺研发从22nm推进至14nm甚至更先进制程，并建成完整28nm工艺能力。

面对行业现状的发展方向，叶甜春表示，行业早已形成“以产品为中心，以行业解决方案为牵引”的发展共识。当前我国集成电路自主可控的基础已经基本建立，28nm以上工艺能够覆盖约80%的芯片品类。

他认为，我国拥有完备的工业体系，但芯片产品对于电动车、家电、电网、轨道交通等实体经济领域的支撑能力仍有提升空间。国内芯片销售规模可观，但多数产品集中在中低端，成熟制程同样存在高端产品供给不足的问题，在高端客户市场还没有实现完全突破。他还特别指出，不能简单认为只要拿到EUV设备，我国集成电路的全部难题就能够得到解决。

在他看来，行业需要跳出摩尔定律单纯依靠等比例缩小的固化思路，不追求简单的技术超车，而是要开辟全新赛道，重塑产业生态。集成电路的创新逻辑也要随之转变，未来应当从系统创新、设计创新出发，三维异质集成将是十分重要的发展方向。

在工艺演进方面，叶甜春表示，其科研团队在FinFET技术方向累计形成千余项专利，多项代表性技术实现突破，包括栅极应变和高k/金属栅氮等离子体处理技术、自对准晕环和防穿通阻挡新结构，该结构能够把关态电流降低80-90%，还有原创的单扩散隔离技术，可以在同等光刻条件下节省20%的芯片面积。

叶甜春在报告介绍，在WIPO引用的LexInnova 2016 年 FinFET 专利调研数据中，中科院微电子所跻身全球FinFET专利申请人榜单前列，是中国大陆唯一进入该榜单前20的机构。自FinFET实现量产以来，英特尔、三星、台积电等多家国际头部厂商均在应用该团队相关技术，体现出我国在前沿集成电路器件技术领域已经形成系统性贡献。中科院微电子所也通过开展跨国专利维权，并完成相关技术许可落地。对此，叶甜春也客观地指出，目前我国整体产业依旧处于防守态势，仅局部具备技术反击能力，本土企业在更先进工艺量产层面仍然面临现实挑战。

在下一代GAA器件技术领域，叶甜春介绍了团队的最新科研进展，其团队攻克复杂的表面损伤修复技术，实现近原子层刻蚀，沟道表面损伤带来的界面态密度降低96%，器件亚阈值摆幅达到60.3mV/dec，已经接近理论极限。后续，团队将通过解剖生产后的GAA产品，进一步验证技术的落地效果。

叶甜春在报告末尾总结，集成电路产业不能一味跟随海外的技术路线，要敢于走出属于中国自己的创新道路。FinFET技术已经取得重要突破，三维异质集成将是未来产业的关键突破口。中国半导体行业挑战与机遇并存，对于未来发展前景，他表达充分信心。

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