英特尔High-NA EUV量产破百万片，18A制程关键层性能验证达标

【科技纵览】在先进芯片制造的深水区，英特尔再次投下了一枚重磅筹码。9月9日，快科技援引英特尔晶圆代工部门消息显示，其采用高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术处理的晶圆累计数量已正式突破100万片大关。这一里程碑式的数字并非仅停留在实验室阶段，而是涵盖了设备认证、测试研发以及部分产品层的实际量产环节，清晰地勾勒出该项下一代光刻技术从概念验证向规模化生产稳步过渡的轨迹。

据英特尔方面披露，其在High-NA EUV领域的晶圆处理总量，已经超过了全球其他所有采用该技术的芯片制造商之和。这种压倒性的数据优势，无疑进一步夯实了英特尔在新型光刻赛道上的先发身位。作为传统EUV光刻技术的进阶形态，High-NA EUV将物镜数值孔径从0.33大幅提升至0.55。这一物理参数的改变，使得在晶圆上刻画更精细图形成为可能，更有望简化以往复杂的多重曝光工艺。对于追求极致性能的先进制程而言，这意味着晶体管密度的跃升、制造复杂度的降低，以及芯片能效与性能的潜在红利。当然，随之而来的是更为高昂的设备成本与严苛的工艺控制要求。

目前，英特尔已在俄勒冈州部署了至少三台High-NA EUV光刻机，并将其投入部分Intel 18A制程的生产实践中。公司透露，基于该技术制造的Panther Lake处理器部分层级，在套刻精度、生产吞吐量及设备可用率等核心指标上均达到了预期目标。值得注意的是，英特尔并未激进地将整个18A制程全盘切换至新设备，而是采取了更为审慎的策略：仅在关键层进行试产，同时在传统的0.33数值孔径EUV设备上完成相同层次的加工。这种“双轨并行”的做法，旨在对两种技术路径的制造表现进行直接且客观的对比。

对比结果令人振奋。数据显示，采用High-NA EUV生产的18A层级，在性能表现上已持平甚至优于传统EUV平台对应的层级。此外，英特尔还解决了客户关注的兼容性问题，表示现有6英寸光掩模仍可用于High-NA EUV生产。客户既可在掩模限定范围内设计芯片，也可借助拼接技术和工艺设计套件（PDK）来满足更大面积的制造需求。英特尔认为，未来AI产品对制造技术的要求将持续攀升，不仅需要更高的性能和密度，更依赖稳定的量产能力和较低的采用门槛。通过率先将High-NA EUV推入生产环境，英特尔正试图为客户提供更加成熟、可靠的先进制程选项，这或许是其重塑代工竞争力的关键一步。