SK海力士，要建NAND厂

三位知情人士表示，芯片制造大厂 SK 海力士旗下的子公司 Solidigm 正考虑在美国建设一座 NAND 闪存芯片工厂，其中纽约州北部已成为热门备选地点。

随着人工智能数据中心的大量投资耗尽了全球存储芯片的供应，华盛顿正极力推动半导体生产回流，这家韩国芯片制造商也面临着来自特朗普政府要求其扩大美国制造业务的日益增大的压力。

知情人士因此事尚未公开要求匿名。他们透露，拟建的这一项目与 SK 海力士此前同英特尔讨论的“利用英特尔俄亥俄州工厂生产存储芯片”的计划是相互独立的。

SK 海力士表示：“子公司 Solidigm 正在评估各种选项以提升其业务竞争力，但目前尚未确定具体计划。”

总部位于美国的 Solidigm未在非工作时间内回应路透社的置评请求。

在美国设厂将减少 Solidigm对其位于中国大连的唯一 NAND 生产基地（大连工厂）的依赖，同时有助于规避美国潜在的关税政策以及对华芯片制造设备出口限制的影响。

该扩张计划出台之际，中国竞争对手正迅速扩大产能，以缩小与外国竞争者的技术差距。

不过，其中一位知情人士警告称，目前尚未就 Solidigm 的赴美投资达成任何协议，关键的项目细节仍处于讨论之中。

随着华盛顿和首尔继续就贸易与投资事务展开谈判，SK 海力士可能会谨慎行事，因为在美国制造芯片的成本要高于韩国本土。

SK 海力士股价收盘上涨 6.4%，表现优于韩国综合股价指数2.7%的涨幅。

当被问及美国要求韩国芯片制造商赴美建厂的压力时，韩国总统李在明表示，首尔方面将寻求“在尊重企业意愿的同时，维护韩国的国家利益”。

“这依然是一个存在争议的议题，”他在周五补充道，但未展开说明。

知情人士之一指出，SK海力士通过其美国子公司生产 NAND 芯片面临的政治阻力可能相对较小，因为该技术相比高带宽内存（HBM）等先进 DRAM 产品，其战略敏感度较低。

韩国政府已敦促 SK 海力士和竞争对手三星加快在韩国西南部建立新半导体产业集群的计划，该项目预计将吸引数千亿美元的投资。

路透社本周报道称，首尔方面潜在的反方向阻力可能会使 SK 海力士借助英特尔工厂生产 HBM 等先进存储芯片甚至传统 DRAM 芯片的雄心变得复杂化。

美国商务部长霍华德·卢特尼克（Howard Lutnick）曾威胁称，除非韩国和中国台湾企业承诺扩大在美生产，否则将对其征收高达 100% 的关税。

韩国芯片制造商目前夹在华盛顿和首尔之间受气。两国还在就韩国去年承诺向美国投资 3500 亿美元以换取更低美国关税的执行细节展开谈判。

自2020年以90亿美元从英特尔收购Solidigm以来，伴随着 NAND 闪存市场的长期低迷，SK 海力士一直在应对该业务多年的亏损问题。

尽管赴美扩张有助于 SK海力士缩小与三星的市场份额差距并抵御来自中国企业的竞争，但到新工厂投产时，市场需求将如何发展仍未可知。

上线新的半导体产能通常需要数年时间，而对前沿 AI 模型开发放缓的担忧，为长期存储芯片的需求前景蒙上了一层阴影。

在上个月有媒体报道称 Solidigm 正在探索规模约 5 万亿韩元（约合 36 亿美元）的 Pre-IPO 融资后，SK 海力士表示，公司正在考虑提升 Solidigm 竞争力的举措。

该公司当时表示尚未做出任何决定。

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