SK海力士拟在美造芯？英特尔俄亥俄厂成关键变量

【科技纵览】SK海力士在美国的布局，似乎正试图突破此前刻意维持的界限。据路透社9月16日援引三位知情人士消息，这家韩国存储巨头正与英特尔洽谈，探讨首次在美国本土制造内存芯片的可能性。目前的讨论方案主要有两个方向：一是租用英特尔位于俄亥俄州的部分晶圆厂设施；二是采取更为激进的模式，由SK海力士、英特尔以及渴望锁定内存供应的大型云计算企业共同组建合资公司。不过，谈判尚处于早期探索阶段，具体生产DRAM、NAND还是其他产品，目前均未敲定。SK海力士随后也谨慎回应，强调尚未决定与特定企业合作，也没有最终确定美国的内存生产计划。

回想今年8月，SK海力士刚为印第安纳州工厂举行奠基仪式，总投资超40亿美元，计划2029年下半年量产下一代HBM。该项目虽被包装为首个“美国制造”HBM基地，但核心DRAM晶圆实则仍在韩国生产，仅将先进封装和测试环节移至美国。换言之，美国此前获得的只是HBM产业链的重要一环，并未触及SK海力士最核心的前道晶圆制造。如今讨论转向俄亥俄项目，性质已截然不同。若DRAM晶圆制造真的落地美国，意味着美国半导体本土化将从“保留最后几道关键工序”，进一步升级为“核心芯片本身也在美国制造”。

这一动向背后，既有市场考量，更不乏政策压力的推手。SK集团会长崔泰源7月曾公开坦言，公司面临客户及各国要求增加芯片供应的巨大压力，认为“需要在美国建一座工厂”。与此同时，美国商务部长霍华德·卢特尼克曾威胁，对未增加美国本土生产承诺的韩国和台湾半导体企业征收最高100%关税。华盛顿方面也一直推动SK海力士尽快承诺扩大在美投资。对SK海力士而言，英特尔俄亥俄工厂提供了一个特殊入口。英特尔早在2022年宣布建设该大型芯片基地，但两座工厂投产时间推迟至2030年和2031年。若SK海力士租用部分设施，可避免从零建设晶圆厂的高昂成本；英特尔则能提升资产利用率，缓解巨额投资压力。若云计算巨头加入，甚至可能催生新的AI供应链模式：客户直接参与上游产能建设，以换取稳定的HBM和DRAM供应。

然而，真正的棘手问题或许在韩国国内。DRAM和HBM已被韩国视为核心产业技术。韩国贸易部门明确表示，若美国投资涉及“国家核心技术”，必须依照《产业技术保护法》接受审查。此外，美国建厂的人工、建设和供应链成本明显高于韩国。值得注意的是，SK海力士并未准备放弃韩国本土。今年8月，公司刚宣布在龙仁和清州追加约54万亿韩元，建设新的DRAM和NAND晶圆厂。因此，更准确的理解并非“SK海力士要把产能搬离韩国”，而是美国正在逐步提高进入其AI产业链的门槛：从最初只需向美国销售芯片，到后来要求在美国封装HBM，如今讨论已深入至DRAM晶圆制造。美国想要的，正从“韩国企业来投资”，转变为“韩国最核心的半导体制造能力也必须在美国落地一部分”。如果SK海力士最终跨出这一步，接下来面对同样问题的，就不会只有它一家。