存储大厂，重金“扫货”EUV光刻机

此前，光刻机巨头ASML向外界发出预警，称极紫外（EUV）光刻设备即将面临供应短缺。在这一背景下，全球头部存储厂商正积极锁定EUV设备的交付，试图在产能扩张与技术迭代的窗口期抢占先机。

据韩媒报道，近期存储大厂正竞相向ASML订购EUV光刻设备，三星电子动作尤为激进，相关投资规模上限或达到20万亿韩元（约合人民币992亿元）。

理解这笔巨额设备投资，需要先厘清EUV光刻与先进DRAM制造之间的技术绑定关系。DRAM的核心存储单元由一个晶体管和一个电容构成，长期以来的微缩路径依赖于光刻精度的提升。当制程推进到1β及以下节点时，电路间距已缩至十几纳米级别，传统DUV（深紫外）光刻的193纳米波长必须依赖多次曝光（如SAQP）来“拼”出精细图形，而每增加一次曝光，叠对误差便会累积一层。在字线间距与位线间距逼近DUV多重曝光的物理极限时，继续硬撑将导致良率无法满足量产要求。

EUV的13.5纳米波长比DUV精细约一个量级，能够在单次曝光中定义更细微的图形，从根本上规避了多重曝光带来的误差累积与工序复杂度。对于DRAM而言，随着存储单元电容的深宽比突破80:1，传统光刻已难以精确界定柱状结构，EUV的引入不仅是提升密度的手段，更是维持先进节点可制造性的前提。

在具体产能布局上，三星电子正全力推进平泽P4工厂的升级，计划在此增设HBM4单晶DRAM的生产线。与此同时，平泽P5工厂的扩建工程也在稳步推进，其首座晶圆厂预计将于2028年正式投产。据报道，三星已提前为P5工厂订购了光刻设备，预计在2027年上半年第一阶段洁净室完工后，这批设备即可迅速进场投入使用。

除了扩大现有产能，三星还意图通过更高阶的高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术拉开下一代DRAM的技术代差。High-NA EUV通过将数值孔径从0.33提升至0.55，进一步增强了分辨率能力。据悉，三星计划于2027年开始量产1D DRAM，随后在2028年迈入10nm以下的0a DRAM小规模生产阶段，High-NA EUV预计将在0a阶段引入。为了在昂贵的设备投资与量产良率之间取得平衡，三星目前正在评估仅在一到两层关键工艺中使用该技术。

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