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9月2日，外资投行高盛发布最新研究报告，聚焦中国半导体制造领域尤其是光刻机研发情况，指出中国在该领域面临严峻挑战，短期内难以追赶西方先进技术。
近年来，中国半导体产业发展势头迅猛，但在半导体制造的关键环节——光刻机研发上，仍存在明显瓶颈。目前，中国国产光刻机技术水平停留在65纳米，与国际大厂相比，至少落后20年。
在芯片制造里，不同制程对光刻机要求各异。制造5nm及以下先进制程芯片需EUV光刻机，埃米级制程要用更先进的High NA EUV光刻机，可目前全球仅ASML能造。
ASML光刻机依赖美国关键零部件，美荷政府联合限制对华销售，使中国本土晶圆制造商难获先进光刻机，先进制程芯片制造水平卡在7nm，即便中芯国际生产7nm芯片，大概率也靠ASML较旧DUV光刻机。
光刻技术是芯片制造关键瓶颈，台积电正用ASML光刻机量产3nm、即将量产2nm芯片，而中国国产光刻机仅65nm制程。ASML从65nm到低于3nm耗时二十年、投入400亿美元。鉴于中国当前技术、投入及供应链情况，高盛认为中国光刻机厂商短期内难赶超西方，这给中国高端芯片自给自足设下巨大障碍。
在半导体制造领域，光刻机是至关重要的设备，堪称芯片制造的“心脏”。尽管中国光刻机产业起步较晚，但近年来多家企业奋起直追，在不同环节取得关键进展，为国产光刻机发展注入强劲动力。
茂莱光学是国内光刻机光学部件的领军者，它是国内唯一能量产28nm DUV光刻机物镜组的企业，国产市占率超60%。物镜组作为光刻机的核心光学部件，直接影响成像精度，茂莱光学的技术突破，为国产DUV光刻机量产筑牢了基础。
上海微电子装备是国内光刻机设备制造的佼佼者，作为国内唯一具备90nm光刻机量产能力的企业，它承担着国产光刻机产业链整合的核心平台角色。90nm光刻机的量产，是国产半导体制造的重要里程碑，为后续向更先进制程突破奠定了坚实基础。
中国光刻机产业虽面临诸多挑战，但这些核心企业正凭借各自的技术优势和不懈努力，在光学部件、设备制造、材料配套等环节不断突破。相信在它们的协同发展下，国产光刻机必将实现从跟跑到并跑、领跑的跨越，为中国半导体产业的崛起提供坚实支撑。
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