点击上方“蓝字”，关注更多精彩最近，高盛发布了一份报告，直言“中国光刻机落后ASML约20年”。一句话，立刻引发热议。有人点头认同：确实差距太大；也有人反驳：不至于吧，咱们芯片不是已经做到7nm了吗？那么，中国光刻机，究竟落后多少？真的有20年吗？在半导体设备中，光刻机是当之无愧的皇冠。原因很简单：它决定了芯片的最小刻线宽度，也就是所谓的制程节点。DUV深紫外光刻机（ArFi 浸润式） → 可支撑到 28nm 甚至 14nm（多重曝光）。EUV极紫外光刻机 → 必须要用来量产 7nm 及以下的先进制程。ASML是全球唯一能量产EUV光刻机的厂商，目前最新的High-NA EUV已交付给Intel、台积电、三星，单台售价超过4亿美元，重达180吨。可以说，它不仅是设备，更是国家战略级科技结晶。而中国当前能自主量产的光刻机，大致停留在 90nm ArF干式光刻机，浸润式（ArFi）尚未产业化，更别提EUV。高盛的逻辑是：ASML在2000年左右就开始量产65nm节点的ArF浸润式光刻机，而中国目前能做到的仍是90nm ArF干式机型。以时间轴对比，差了接近20年。这算是个“保守估算”，但并非空穴来风：ASML的DUV市场份额：>95%； EUV市场份额：≈100%；中国光刻机现状：尚未进入主流晶圆厂的28nm及以下工艺线。所以，从量产应用角度，差距确实接近20年。然而，光看量产水平，容易忽略几个现实：1. 中国芯片并没有停在90nm：SMIC（中芯国际）已经量产 7nm工艺芯片，尽管使用的仍是ASML的DUV设备，但说明在工艺整合、工艺工程能力上，我们并不是“只能做90nm”。先进制程芯片不是单靠光刻机，而是 设备+材料+工艺协同 的成果。2. 中国光刻机研发速度并不慢：上海微电子（SMEE）已完成 28nm浸润式DUV光刻机的原型机研制，预计进入验证阶段。国内在EUV的部分关键部件（光源、反射镜、掩模台）已有突破，但整机集成依然艰难。3. 产业链环境不同：ASML研发EUV用了20年，耗资超过400亿美元，背后还有荷兰、德国、日本、美国上百家企业的协同。 中国刚刚在5-10年内集中发力，要追赶一个几十年累积的“系统工程”，不可能一蹴而就。如果用“制程节点对应的光刻机量产能力”来对比，中国与ASML确实有15-20年的差距。但如果从“研发进展”来衡量，差距可能缩小到 7-10年：28nm浸润式DUV：国内预计在未来3-5年实现量产。 EUV极紫外：短期内难以追赶，但部分核心部件已进入研发。换句话说，差距确实存在，但绝非永远不可追赶。还有一个常被忽略的现实：中国半导体设备并非全面落后：刻蚀机：中微公司已进入全球前三，部分设备进入台积电产线。清洗机、薄膜沉积设备：北方华创、拓荆科技等公司在国内已实现替代。检测设备：长川科技、华海清科等逐步突破。这些设备在国内产线的应用水平，往往比“90nm光刻机”更先进。换句话说，中国光刻机是短板，但并不是全部。所以，中国光刻机，真的落后20年吗？答案是：在量产能力上，差距确实接近20年；在研发进展上，差距可能缩小到7-10年。更关键的一点是，光刻机不是孤立存在的，它背后是一个庞大的全球协作体系。ASML花了20年、400亿美元才造出EUV，中国要想追赶，至少也需要一个长期投入和完整产业链支撑的过程。因此，所谓“落后20年”，更像是一个提醒：差距很大，但并非绝望。只要方向正确，坚持投入，时间差未必不可缩短。你觉得中国光刻机需要多久能真正追上？中国芯，我的心，点个关注支持一下呗！关注我获得更多精彩
