SK海力士已决定推迟其2025年的设备投资计划。这一调整涉及位于韩国清州的M15X工厂，该工厂是SK海力士重点打造的先进DRAM和高带宽存储器（HBM）生产基地。M15X工厂的总投资规模高达20万亿韩元（约142.86亿美元），自2024年第二季度开始施工，原目标是在2025年第四季度竣工。
SK海力士因看好人工智能（AI）产业对先进DRAM和HBM的需求增长，曾计划加快投资步伐。他们计划将无尘室等关键设施的建设时间从2025年第二季度末提前至第二季度初。公司还计划在2025年9月至10月引入设备。然而，近期SK海力士决定重新调整这一计划，设备引入时间被推迟至2025年10月至11月。同时，M15X工厂的先进DRAM月产能目标也从1.5万片下调至1万片以下。此外，工厂可能仅建设用于试生产的单路径线（one path）。
回顾2025年3月，情况截然不同。当时有报道称SK海力士因“HBM订单需求热络”，特别是大客户博通（Broadcom）积极追单，已通知供应商做好准备。SK海力士当时规划将M15X晶圆厂进机时程提前两个月，从原定的12月提前至10月，以期最快2026年底启动量产。当时知情人士指出，由于后续接单看好，SK海力士有意加码扩充M15X晶圆厂产能。原定产能为每月3.2万片，扩充幅度已进入最后评估阶段，不排除较原定产能翻倍。
SK海力士对M15X工厂的技术定位十分高端。公司计划在该工厂生产最先进的1β制程DRAM，用于HBM3E产品线。在更先进的技术方面，SK海力士还宣布了关于HBM4E内存的重要进展。公司计划采用1c nm工艺的32Gb DRAM芯片来构建新一代的HBM4E内存，并且预期该内存的开发周期将缩短至一年。目前，全球三大内存制造商尚未开始大规模生产1c nm（第六代10+nm级）DRAM内存颗粒。SK海力士已经走在了前面，计划在今年内实现1c nm DRAM的量。
SK海力士调整M15X投资计划的决定，反映了半导体市场的不确定性和公司采取的谨慎投资策略。2025年第二季度全球DRAM市场虽然环比增长17.1%至316.3亿美元，但SK海力士面临着产品组合变化的挑战。尽管SK海力士位元出货量优于目标计划，但因相对低价的DDR4出货比例提升，抑制了整体的平均单价增长幅度。
SK海力士对M15X工厂的建设决策经历了多次反复。公司最初在2022年9月宣布，计划从当年10月份开始在清州市建设M15X工厂，预计于2025年初完工。当时公司表示计划在5年内共投资15万亿韩元建设M15X工厂并引进生产设备。然而，到了2024年2月，有报道称SK海力士已开始“控制”新半导体生产线的建设进度。SK海力士已经完成了恢复M15X建设的准备工作，但决定在大约三个月后重新考虑是否复工。公司相关人士表示：“现在正密切关注市场情况，M15X复工时间尚未确定。”
尽管面临投资计划调整，SK海力士在技术方面仍取得了显著进展。据报道，SK海力士的1c DRAM模块实现了“惊人的”成品率，达到了80%-90%。这一良率水平是一个巨大的进步，早在2024年下半年该公司的良率还只有60%。这一技术成就使SK海力士在技术优势方面领先于DRAM领域，超越了竞争对手三星。凭借这一成就，SK海力士将成为第一家开始大规模生产HBM4的公司，遥遥领先于竞争对手。
SK海力士对M15X工厂的产能规划经历了多次调整。最初计划每月生产约32,000片12英寸晶圆。后来公司有意加码扩充产能，不排除较原定产能翻倍。但最新消息表明，月产能目标已从1.5万片下调至1万片以下。M15X全面运营后，SK海力士的总月产量可能在2026年底增加到23万至24万片晶圆之间。
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