图片来源：DIGITIMES
SK海力士公司今天宣布，已在韩国利川的M16制造工厂组装了业界首台高NA EUV光刻系统，用于批量生产。
此举为在全球半导体产业激烈竞争中快速开发和供应满足客户需求的尖端产品奠定了基础。SK海力士旨在通过与业务合作伙伴的密切合作，提高全球供应链的信誉和稳定性。
用于扩展存储单元的复杂工艺技术对于提高生产率和产品性能至关重要。更复杂的模式会导致晶圆生产的芯片数量增加，并提高电源效率和性能。
自 2021 年首次为第四代 10nm 技术 1anm 引入该技术以来，SK 海力士一直在扩大 EUV 生产最先进 DRAM 的采用范围。在公司努力为行业对极端规模和高密度的要求做好准备之际，组装了性能优于现有 EUV 设备的下一代技术系统。
TWINSCAN EXE：5200B 是 ASML 高 NA EUV 产品线的首款批量生产型号，与现有 EUV 系统相比，晶体管的打印尺寸缩小了 1.7 倍，晶体管密度提高了 2.9 倍，NA 从 0.33 提高到 0.55，提高了 40%。
SK海力士计划通过采用新系统，简化现有的EUV工艺，加快下一代存储器的开发，以提高产品性能和成本竞争力。该公司还旨在提高其在高价值存储器产品市场的地位，并加强其技术领先地位。
“高NAEUV是一项关键技术，它开启了半导体行业的新篇章，”ASML 的 Kim 说。“ASML 将与 SK 海力士密切合作，推动下一代存储器的创新。”
“我们希望关键基础设施的加入能够将我们一直在追求的技术愿景变为现实，”SK 海力士的 Cha 说。“我们的目标是通过快速增长的人工智能和下一代计算市场所需的尖端技术来增强我们在人工智能内存领域的领导地位。”
*原文标题：
SK hynix Introduces Industry's First Commercial High NA EUV
*原文媒体：DIGITIMES Asia
芯启未来，智创生态
