深圳市南山区-存储芯片升级及产业化项目可行性研究报告

思瀚产业研究院 2025-09-10 12:00

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1、项目基本情况

本项目旨在进一步提升公司 EEPROM 芯片的设计研发和测试软硬件环境,基于辉芒微电子(深圳)股份有限公司目前已有存储芯片设计技术,在不同的工艺制程下,进一步设计优化芯片各模块性能指标,使整个存储产品系列更灵活丰富、更高性能及高性价比,在汽车、电表、内存、摄像头等市场领域发挥更大作用,实现对 EEPROM 芯片产品迭代研发升级及产业化。本项目建成以后,拟实现的主要目标包括:

(1)培养专业的 EEPROM 芯片研发团队,为公司 EEPROM 芯片产品的持续迭代升级提供助力;

(2)形成一批 EEPROM 芯片相关专利或核心技术,在市场竞争中保持强大的优势;(3)开发新一代 EEPROM 芯片产品,对原有产品逐步迭代升级,进一步提升产品性能。

2、项目实施的必要性

(1)进一步加强公司 EEPROM 存储技术与产品竞争力的需要

为了满足消费、通讯、家电、工业、医疗等下游应用领域的需求,公司需要不断提高 EEPROM 的产品性能,对现有 EEPROM 产品的不足之处进行完善和改进,通过工艺器件研究、改进电路结构、优化版图布局等方式进一步设计优化 EEPROM 各模块性能指标,提升产品稳定性、可靠性以及高容量 EEPROM 产品的良率,保证产品的竞争力和优异性能,以进一步扩大公司产品的市场规模。同时,公司还需设法从产品设计及工艺等方面降低 EEPROM 的生产成本,进一步加强产品的竞争力。

(2)对现有产品进行升级并丰富产品线的需要

公司现有一系列 EEPROM 产品,广泛用在多种应用场景中,产品具有宽工作电压范围、低功耗、工业级温度范围、高可靠性、高兼容性等特点,支持多种接口。凭借上述优势,公司的 EEPROM 产品已获得较高的市场份额。

为巩固辉芒微电子(深圳)股份有限公司的市场地位,寻求新的利润增长点,公司需进行持续的技术升级并丰富产品线,对现有产品进行工艺迭代。公司将通过开发不同等级及标准的汽车级 EEPROM 产品,以及研究 ECC(ErrorCorrecting Code)、高精度温度传感器等功能及 1.2V 低电压、高性能电荷泵等技术,进一步提高芯片可耐擦写次数、数据存储时长、温度传感器精度及可靠性、稳定性等方面的性能,优化产品静态功耗并提高电荷泵工作能效,进一步拓展 EEPROM 的应用领域,向内存、汽车电子、电表等高附加值的领域进军。

3、项目备案程序的履行情况

本项目已在深圳市南山区发展和改革局进行了备案(备案号:深南山发改备案﹝2023﹞0042 号)。

4、项目实施进度及投资计划

本项目总投资金额为 7,986.55 万元,其中工程建设费用投入 2,456.90 万元、研发费用投入 3,728.69 万元、预备费投入 123.71 万元、铺底流动资金投入 1,677.25 万元。本项目建设期为 36 个月。

5、项目环境保护情况

公司采用 Fabless 模式经营,致力于集成电路的设计研发和销售,而集成电路的制造、封装和测试等生产环节通过委外加工方式完成,公司不直接参与产品的生产过程。项目实施过程中仅会产生少量办公和生活垃圾,不涉及生产相关的污染物,对环境不存在不良影响。

项目实施过程中产生的办公、生活垃圾等可由环卫部门定期清运,保证办公环境和周围环境不受污染;项目所需能耗为办公场所日常的设备用电、照明用电、电脑用电、空调用电等,无特殊工业用电需求,项目用电将按规定采取相应安全的保护措施。

6、项目新取得土地或房产情况

本项目不涉及新取得土地情况,辉芒微电子(深圳)股份有限公司将按照公开市场价格在广东省深圳市购置写字楼,作为项目办公场地。

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