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【湾芯展推荐】涉及企业
8家上市公司量化排名和对比分析
量化分析的公司包含:时代电气,三安光电,新洁能,闻泰科技,天岳先进,斯达半导,露笑科技,英诺赛科
注:筛选条件为以SiC/GaN化合物半导体为主要业务,或硅基IGBT业务+化合物功率器件转型过程中的公司,且公司财报中具有该板块较详细的业务数据披露。部分上市公司因其财报中没有单独披露化合物半导体板块的营收,故没有加入对比,例如华润微,士兰微,芯联集成,扬杰科技等。
半导体上市企业市场表现指数-量化模型简介(上下滑动查看详情):
在技术创新维度中,指数使用研发投入强度指标(10%权重),直接反应企业对技术创新的资源倾斜程度;并使用研发人员占比指标(10%权重)聚焦人力资源配置质量。
在财务健康维度中,指数同时考虑短期流动性与长期偿债能力,分别以速动比率(5%权重)和“1-资产负债率”(5%权重)综合评估企业的抗风险能力。注:由于资产负债率是负向指标,故使用此方法转化。
在盈利能力维度中,指数按产品线营收占比分摊预估公司归母净利润的表现(20%权重),并采用产品毛利率(10%权重),解释细分市场定价能力与成本控制效率。
在市场地位维度中,指数采用分产品的营收规模(30%权重)突显市场份额与业务体量,作为行业话语权的关键锚点。
在产能与潜力维度中,指数使用资产负债表无形资产同比增长率(10%权重)衡量长期发展动能,反应产研转化效率。
最后,我们使用了Z-Score平移标准化后的各维度数据计算得出最终的指数,并直接呈现指数的绝对值。另外提醒您注意,由于各版块公司数量不同,数据标准化的基数也不同,因此三级行业的数据不具有跨板块可比性。







8家化合物半导体/功率器件上市公司综合实力画像
时代电气
企业简介
中车旗下半导体公司,轨交SiC器件垄断者。延伸新能源车市场,双赛道协同。
核心技术
轨交技术迁移至车用SiC器件,击穿场强>3MV/cm,适配1500V高压系统及10kA/cm²浪涌电流场景。
主要产品及应用
SiC功率模块(轨道交通/新能源汽车)
市场竞争力
主要客户:中国中车(轨道交通垄断份额80%)、广汽埃安
技术认可度:通过机车级IEC61287认证(全球最高标准),技术可靠性背书
优势:轨道交通市占率超80%,获国家专项补贴9亿,多元化应用研发
三安光电
企业简介
全球化合物半导体龙头,覆盖LED芯片、射频前端、碳化硅全产业链,GaN业务积极布局中,国内唯一实现6-8英寸SiC垂直整合制造。
核心技术
SiC衬底/外延/器件、GaAs射频芯片、GaN光电器件,两次获得国家科技进步一等奖,拥有专利4000余项。
主要产品及应用
LED外延片、SiC MOSFET(650V-2000V)、GaN射频器件,应用于新能源车、5G基站、光伏储能。
市场竞争力
主要客户:意法半导体(合资)、理想汽车(合资)、华为、TCL华星。
技术认可度:SiC MOSFET车规级认证中,8英寸产线2025年投产;两次获得国家科技进步一等奖。
优势:湖南基地月产1.6万片SiC衬底,合资项目锁定国际大厂订单。
新洁能
企业简介
Fab-lite设计公司,聚焦功率芯片,从硅基功率器件进行业务拓展,SiC/GaN双路线并行。
核心技术
650V GaN HEMT采用p-GaN栅结构,开关速度150V/ns,支持2MHz高频切换场景,适配快充及光伏逆变。
主要产品及应用
SiC二极管/GaN快充芯片(光伏/200W快充)
市场竞争力
主要客户:宁德时代(光伏二极管)、安克创新(快充芯片)
技术认可度:GaN芯片通过USBPD3.1认证,高功率快充标准兼容
优势:SiC光伏二极管市占率36%(国内第一),芯片设计适配高切换频率场景
闻泰科技
企业简介
以功率半导体为核心业务,涵盖产品集成和光学模组的多元化布局。2025上半年出售了电子产品集成业务,向纯半导体IDM企业转型,深度聚焦汽车电子市场。
核心技术
车规级SiC MOSFET(1200V)、D/E-mode GaN器件(40V-700V),AI服务器能效优化技术。
主要产品及应用
SiC功率模块、GaN快充芯片、AI服务器电源管理IC,应用于汽车电子、数据中心、消费快充。
市场竞争力
主要客户:头部车企、通信设备商、消费电子品牌。
技术认可度:车规SiC模块批量交付光伏/储能客户,GaN器件覆盖工业/消费全场景。
优势:临港12英寸车规晶圆厂量产,全球化产能布局(德国汉堡)。
天岳先进
企业简介
全球SiC衬底前三,特斯拉上海工厂主供。2024年营收增72%,临港基地产能30万片/年。
核心技术
8英寸SiC衬底量产国内领先,液相法晶体生长技术。
主要产品及应用
8英寸SiC衬底(新能源汽车、清洁能源及电网、数据中心、消费电子)
市场竞争力
主要客户:特斯拉(财报披露上海工厂主供,供货占比约18%)、博世公司
技术认可度:满足特斯拉QMS4.0质量体系,供应链核心认可
优势:SiC衬底2024全球市占率16.7%,全球第三,国家大基金8亿注资加速创新
斯达半导
企业简介
专注功率半导体设计,硅基功率模块业务拓展至化合物半导体,国内车规SiC模块龙头,2024年营收增300%,目前处于Fab-lite到IDM的转型过程中。
核心技术
车规级SiC模块通过ASIL-D认证;
主要产品及应用
SiC功率模块(新能源汽车主驱)
市场竞争力
主要客户:理想汽车(份额60%)、吉利
技术认可度:满足ISO26262ASIL-D功能安全等级,行业最高标准认可
优势:模块成本比英飞凌低15%(铜线键合技术实现),获上海临港基金5亿支持,优化供应链效率
露笑科技
企业简介
原电磁线生产商,转型SiC衬底制造。合肥百亿产业园落地,绑定中科院与合肥政府资源。
核心技术
6英寸SiC衬底良率65%比肩国际龙头,位错密度<5×10³cm⁻²,8英寸线研发加速推进。
主要产品及应用
6英寸SiC衬底(比亚迪DM-i车型)
市场竞争力
主要客户:比亚迪(DM-i车型独供衬底,供货占比约15%)
技术认可度:全系产品通过AQG-324车规测试,认证量产能力
优势:衬底良率持平国际大厂,获合肥产投20亿扩产资金,加速8英寸线建设
英诺赛科
企业简介
全球最大GaN功率IDM。2015年建立,2017年8英寸硅基氮化镓量产,2024年港交所上市。
核心技术
IDM模式实现650V GaN器件99%效率,垂直结构设计优化缓冲层陷阱密度,温度系数+0.8%/℃。
主要产品及应用
GaN功率芯片(快充/数据中心电源)
市场竞争力
主要客户:小米/OPPO(快充市占40%)、字节跳动(数据中心)
技术认可度:全球唯一通过Intel数据中心认证IDM,技术领导力背书
优势:IDM模式保障产能,珠海政府提供15亿扩产补贴;全球唯一量产全电压谱系(15V~1200V)硅基氮化镓芯片的公司,氮化镓功率半导体市占率超40%,全球第一。
结语
目前SiC供需同步增加,但产能增加更快,市场价格战愈演愈烈,部分企业的产品售价已接近成本,企业生存难度增加。电动汽车的普及速度低于行业预期,部分车企战略摇摆,导致SiC需求量的增速降低。
业界正在积极推进8英寸及12英寸技术,以降低成本,并寻找新的应用市场,如AR眼镜、先进封装的中介层等,为材料质量稍低的产品寻找出路。
GaN功率器件的技术挑战仍然严峻,正在和国际巨头激烈争夺技术话语权中,但也有不少合作。AI数据中心的应用需求相当迫切,GaN功率器件市场未来可期。
芯启未来,智创生态
