【化合物半导体】8家国产化合物半导体/功率器件上市公司综合实力对比分析

半导体产业研究 2025-10-11 08:00


【内容目录】

8家上市公司量化排名和对比分析
8家化合物半导体/功率器件上市公司综合实力画像

【湾芯展推荐】涉及企业

时代电气,三安光电,新洁能,闻泰科技,天岳先进,斯达半导,露笑科技,英诺赛科

8上市公司量化排名和对比分析

量化分析的公司包含:时代电气,三安光电,新洁能,闻泰科技,天岳先进,斯达半导,露笑科技,英诺赛科

注:筛选条件为以SiC/GaN化合物半导体为主要业务,或硅基IGBT业务+化合物功率器件转型过程中的公司,且公司财报中具有板块较详细的业务数据披露。部分上市公司因其财报中没有单独披露化合物半导体板块的营收,故没有加入对比,例如华润微,士兰微,芯联集成,扬杰科技等。

半导体上市企业市场表现指数-量化模型简介(上下滑动查看详情):

本指数是面向中国半导体上市公司的精细化评估工具,通过量化技术创新、财务健康、盈利能力、市场地位、产能与潜力这五个公开报告与报表数据中的关键业务维度,力求全面客观地细分各产品线的年度竞争力。

在技术创新维度中,指数使用研发投入强度指标(10%权重),直接反应企业对技术创新的资源倾斜程度;并使用研发人员占比指标(10%权重)聚焦人力资源配置质量。

在财务健康维度中,指数同时考虑短期流动性与长期偿债能力,分别以速动比率(5%权重)和“1-资产负债率”(5%权重)综合评估企业的抗风险能力。注:由于资产负债率是负向指标,故使用此方法转化。

在盈利能力维度中,指数按产品线营收占比分摊预估公司归母净利润的表现(20%权重),并采用产品毛利率(10%权重),解释细分市场定价能力与成本控制效率。

在市场地位维度中,指数采用分产品的营收规模(30%权重)突显市场份额与业务体量,作为行业话语权的关键锚点。

在产能与潜力维度中,指数使用资产负债表无形资产同比增长率(10%权重)衡量长期发展动能,反应产研转化效率。

最后,我们使用了Z-Score平移标准化后的各维度数据计算得出最终的指数,并直接呈现指数的绝对值。另外提醒您注意,由于各版块公司数量不同,数据标准化的基数也不同,因此三级行业的数据不具有跨板块可比性。


【化合物半导体】8家国产化合物半导体/功率器件上市公司综合实力对比分析图3
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【化合物半导体】8家国产化合物半导体/功率器件上市公司综合实力对比分析图8
【化合物半导体】8家国产化合物半导体/功率器件上市公司综合实力对比分析图9

8家化合物半导体/功率器件上市公司综合实力画像

时代电气

企业简介

中车旗下半导体公司,轨交SiC器件垄断者。延伸新能源车市场,双赛道协同。

核心技术

轨交技术迁移至车用SiC器件,击穿场强>3MV/cm,适配1500V高压系统及10kA/cm²浪涌电流场景。

主要产品及应用

SiC功率模块(轨道交通/新能源汽车)

场竞争力

主要客户:中国中车(轨道交通垄断份额80%)、广汽埃安

技术认可度:通过机车级IEC61287认证(全球最高标准),技术可靠性背书

优势:轨道交通市占率超80%,获国家专项补贴9亿,多元化应用研发

三安光电

企业简介

全球化合物半导体龙头,覆盖LED芯片、射频前端、碳化硅全产业链,GaN业务积极布局中,国内唯一实现6-8英寸SiC垂直整合制造。

核心技术

SiC衬底/外延/器件、GaAs射频芯片、GaN光电器件,两次获得国家科技进步一等奖,拥有专利4000余项。

主要产品及应用

LED外延片、SiC MOSFET650V-2000V)、GaN射频器件,应用于新能源车、5G基站、光伏储能。

市场竞争力

主要客户:意法半导体(合资)、理想汽车(合资)、华为、TCL华星。

技术认可度:SiC MOSFET车规级认证中,8英寸产线2025年投产;两次获得国家科技进步一等奖。

优势:湖南基地月产1.6万片SiC衬底,合资项目锁定国际大厂订单。

新洁能

企业简介

Fab-lite设计公司,聚焦功率芯片,从硅基功率器件进行业务拓展,SiC/GaN双路线并行。

核心技术

650V GaN HEMT采用p-GaN栅结构,开关速度150V/ns,支持2MHz高频切换场景,适配快充及光伏逆变。

主要产品及应用

SiC二极管/GaN快充芯片(光伏/200W快充)

市场竞争力

主要客户:宁德时代(光伏二极管)、安克创新(快充芯片)

技术认可度:GaN芯片通过USBPD3.1认证,高功率快充标准兼容

优势:SiC光伏二极管市占率36%(国内第一),芯片设计适配高切换频率场景

闻泰科技

企业简介

以功率半导体为核心业务,涵盖产品集成和光学模组的多元化布局。2025上半年出售了电子产品集成业务,向纯半导体IDM企业转型,深度聚焦汽车电子市场

核心技术

车规级SiC MOSFET1200V)、D/E-mode GaN器件(40V-700V),AI服务器能效优化技术。

主要产品及应用

SiC功率模块、GaN快充芯片、AI服务器电源管理IC,应用于汽车电子、数据中心、消费快充。

市场竞争力

主要客户:头部车企、通信设备商、消费电子品牌。

技术认可度:车规SiC模块批量交付光伏/储能客户,GaN器件覆盖工业/消费全场景。

优势:临港12英寸车规晶圆厂量产,全球化产能布局(德国汉堡)。

天岳先进

企业简介

全球SiC衬底前三,特斯拉上海工厂主供。2024年营收增72%,临港基地产能30万片/年。

核心技术

8英寸SiC衬底量产国内领先,液相法晶体生长技术。

主要产品及应用

8英寸SiC衬底(新能源汽车、清洁能源及电网、数据中心、消费电子)

市场竞争力

主要客户:特斯拉(财报披露上海工厂主供,供货占比约18%)、博世公司

技术认可度:满足特斯拉QMS4.0质量体系,供应链核心认可

优势:SiC衬底2024全球市占率16.7%全球第三,国家大基金8亿注资加速创新

斯达半导

企业简介

专注功率半导体设计硅基功率模块业务拓展至化合物半导体,国内车规SiC模块龙头,2024年营收增300%目前处于Fab-liteIDM的转型过程中

核心技术

车规级SiC模块通过ASIL-D认证;

主要产品及应用

SiC功率模块(新能源汽车主驱)

市场竞争力

主要客户:理想汽车(份额60%)、吉利

技术认可度:满足ISO26262ASIL-D功能安全等级,行业最高标准认可

优势:模块成本比英飞凌低15%(铜线键合技术实现),获上海临港基金5亿支持,优化供应链效率

露笑科技

企业简介

原电磁线生产商,转型SiC衬底制造。合肥百亿产业园落地,绑定中科院与合肥政府资源。

核心技术

6英寸SiC衬底良率65%比肩国际龙头,位错密度<5×10³cm⁻²8英寸线研发加速推进。

主要产品及应用

6英寸SiC衬底(比亚迪DM-i车型)

市场竞争力

主要客户:比亚迪(DM-i车型独供衬底,供货占比约15%

技术认可度:全系产品通过AQG-324车规测试,认证量产能力

优势:衬底良率持平国际大厂,获合肥产投20亿扩产资金,加速8英寸线建设

英诺赛科

企业简介

全球最大GaN功率IDM2015年建立,20178英寸硅基氮化镓量产,2024年港交所上市。

核心技术

IDM模式实现650V GaN器件99%效率,垂直结构设计优化缓冲层陷阱密度,温度系数+0.8%/℃

主要产品及应用

GaN功率芯片(快充/数据中心电源)

市场竞争力

主要客户:小米/OPPO(快充市占40%)、字节跳动(数据中心)

技术认可度:全球唯一通过Intel数据中心认证IDM,技术领导力背书

优势:IDM模式保障产能,珠海政府提供15亿扩产补贴;全球唯一量产全电压谱系(15V~1200V)硅基氮化镓芯片的公司,氮化镓功率半导体市占率超40%,全球第一。

结语

目前SiC供需同步增加,但产能增加更快,市场价格战愈演愈烈,部分企业的产品售价已接近成本,企业生存难度增加。电动汽车的普及速度低于行业预期,部分车企战略摇摆,导致SiC需求量的增速降低。

业界正在积极推进8英寸及12英寸技术,以降低成本,并寻找新的应用市场,如AR眼镜、先进封装的中介层等,为材料质量稍低的产品寻找出路。

GaN功率器件的技术挑战仍然严峻,正在和国际巨头激烈争夺技术话语权中,但也有不少合作。AI数据中心的应用需求相当迫切,GaN功率器件市场未来可期。

【化合物半导体】8家国产化合物半导体/功率器件上市公司综合实力对比分析图10

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【化合物半导体】8家国产化合物半导体/功率器件上市公司综合实力对比分析图13

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