10月27日 — 韩国半导体巨头SK海力士在高带宽存储器（HBM）领域的战略布局迈出关键一步。据业内消息，其位于清州的全新DRAM生产基地——M15X晶圆厂已正式启用首个洁净室，并启动设备安装，标志着该工厂进入量产倒计时。
设备安装是半导体工厂建设完成的重要里程碑，意味着M15X已从基建阶段全面转入生产准备。该工厂预计将于下月正式竣工并投入运营，未来将成为SK海力士扩大HBM产能的核心引擎。
M15X的地理位置极具战略意义：它紧邻现有的M15晶圆厂。后者目前正在加速扩建用于HBM制造的关键工艺——硅通孔（TSV）技术的产能。两大工厂的协同布局，将极大优化HBM从晶圆堆叠到封装的生产流程，提升效率与良率，强化供应链韧性。
为保障新厂顺利运转，SK海力士已从去年底开始，逐步将原在京畿道利川工厂的DRAM核心团队调往清州，提前开展基础设施建设和生产准备工作。
此次M15X的启动只是SK海力士宏大投资蓝图的一部分。公司计划长期对该工厂投入超过20万亿韩元（约合992亿元人民币）。而放眼更远，SK海力士正推进总投资高达120万亿韩元（约1100亿美元）的“龙仁半导体产业集群”计划。其中，龙仁第一工厂已于2025年3月动工，预计2027年5月竣工，将成为未来先进存储技术的研发与制造高地。
在技术领先性上，SK海力士近期率先完成下一代HBM4（第六代高带宽存储器）的量产准备，正与全球AI芯片龙头NVIDIA进行最终产品验证与合作谈判。随着M15X的投产，SK海力士有望进一步巩固其在全球HBM市场的主导地位，在人工智能浪潮中掌握更关键的存储话语权。
