三星电子（005930）在高带宽内存（HBM）产能方面超越SK海力士（000660），跃居行业领先地位。这得益于三星电子积极主动地将DRAM生产线转型为HBM生产线，克服了去年半导体危机带来的担忧，并专注于稳定良率。在人工智能（AI）半导体需求激增的推动下，预计两家公司之间的产能竞争将在明年加剧。
据业内人士12月1日透露，三星电子的HBM月产量已增至17万片，超过了SK海力士的16万片。此前，三星电子的月产量一直徘徊在15万片左右，略逊于竞争对手。如今，凭借其强大的产能和技术实力，三星电子发起反击，赢得了“制造界的三星”的美誉，并开始取得成效。
三星电子重夺行业霸主地位，是其一系列卓有成效的转型的最终成果。分析师们逐渐认同，三星电子自去年下半年开始的通用DRAM产品线向HBM的持续转型，与公司自身的技术进步战略高度契合。这一转型的核心人物是三星电子副董事长兼器件解决方案（DS）事业部负责人全英贤，他于去年5月临危受命，肩负起领导重任。上任仅两个月后，即去年7月，全英贤便组建了新的HBM研发团队，并将先进封装（AVP）业务团队重组至其直接领导之下。
为了解决长期存在的发热问题，他对现有DRAM进行了重新设计，并于今年9月成功向NVIDIA交付了第五代HBM3E。下一代HBM4的样品已交付客户，预计不久将公布重要的质量认证结果。近期，该公司还取得了一项重大成就，即向谷歌的张量处理单元 (TPU) 供应 HBM，而 TPU 对英伟达的图形处理单元 (GPU) 构成了威胁。
在金融投资行业，此前有分析指出，SK 海力士（此前被视为三星电子的竞争对手）在供应方面已经超越了三星电子。然而，后来证实，三星电子在下半年大幅提高了 HBM 的供应量，达到了与 SK 海力士相当的水平。
三星电子正在加快设施投资以扩大产能。三星电子正在将其位于平泽园区的部分 DRAM 生产线（P3 和 P4）改造或扩建为先进的 1c DRAM（10nm 级，第六代）HBM 生产线。预计这将直接提升第四季度的业绩。上个月，三星电子决定启动平泽 5 号工厂 (P5) 的框架建设，以加快其对内存超级周期的响应。
SK海力士也在继续推进其积极的产能扩张战略。两家公司竞争的关键在于“HBM生产线改造速度”和“新工厂建设”。三星电子正迅速将其现有的大规模通用（传统）存储器生产线改造为HBM生产线，并专注于快速提升产能；而SK海力士则专注于新工厂的早期投产。SK海力士正在提高其位于利川的M16生产线的利用率，同时也在加快其位于清州的M15X工厂的投产。
业内人士预计，三星电子和SK海力士明年都将实现每月20万片HBM晶圆的产能。然而，它们各自的时间优势预计会有所不同。尽管三星电子凭借其更强大的生产线转换能力，将在明年上半年通过大规模量产占据优势，但随着SK海力士M15X生产线全面投产，该公司有望在2026年夏季左右重夺HBM产能的领先地位。
这场技术霸主之争似乎正从单纯的量产竞争转向下一代HBM4（第六代）的竞争。这是因为HBM4标志着定制HBM时代的开始，模糊了存储器和系统半导体之间的界限。SK海力士已与台湾台积电结成“一体化”联盟，表明其致力于采用台积电的逻辑工艺生产HBM4的关键组件——基片。此次与这家领先晶圆代工厂的合作旨在克服技术瓶颈。
三星电子则采取了大胆的“交钥匙”解决方案，最大限度地发挥其作为集成器件制造商（IDM）在存储器、晶圆代工和封装方面的优势。通过在同一工厂内完成设计、生产和封装，该公司旨在提升工艺效率和价格竞争力。
HBM 对盈利能力的连锁反应预计也将十分显著。HBM 是一种高附加值产品，价格是标准 DRAM 的三到五倍。HBM 在 DRAM 总收入中的份额预计将从去年的 8% 增长到今年的 20% 以上。随着三星电子成为 HBM 生产的领导者并扩大市场份额，其营业利润率的提升速度预计将加快。尤其值得一提的是，大型科技公司对定制化 HBM 的需求日益增长，以提升 AI 加速器的性能，从而形成一种技术响应能力直接转化为利润的格局。
一位业内专家评论道：“快速增长的 HBM 市场对两家公司来说都是机遇。” 他补充道：“随着 NVIDIA GPU 供货等待时间的延长，越来越多的大型科技公司开始转向自主研发芯片，例如谷歌的 TPU。”他补充道：“HBM需求来源多元化可能对拥有IDM能力的三星电子有利。”
