三星HBM4性能赶超SK海力士!英伟达团队访问

存储世界 2025-12-22 12:21

三星电子的HBM4在高级高带宽内存测试中获得了最高分,该内存将用于NVIDIA计划于明年发布的VeraRubin人工智能(AI)加速器。

据半导体行业12月21日报道,NVIDIA团队上周访问了三星电子,介绍了HBM4 SiP(系统级封装)测试的进展。他们表示,三星电子在运行速度和能效方面取得了内存行业最佳成绩。

三星HBM4性能赶超SK海力士!英伟达团队访问图2

这证实了三星电子将于明年上半年向NVIDIA供应HBM4。据报道,NVIDIA对三星HBM4明年的需求超出了内部预期,这极大地促进了三星电子业绩的提升。

考虑到其平泽P4生产线的扩张速度和产能,三星电子预计将于明年第一季度签署正式供货合同。预计将于第二季度开始全面供货。三星电子表示,无法正式确认与英伟达测试相关的任何问题。不过,一位三星电子代表表示:“与之前的HBM3E不同,我们整个研发团队的氛围是,我们在HBM4的研发方面处于领先地位。我们预计明年将取得显著成果。”

当然,SK海力士已于9月底完成了HBM4的量产准备工作,比三星电子领先约三个月。此外,据报道,SK海力士正在向英伟达提供付费样品,这表明其已实际进入量产阶段。然而,考虑到HBM3E量产与HBM4之间长达一年的差距,两者之间的差距正在迅速缩小。

HBM4预计将于明年第二季度全面量产,因此在SiP(系统级封装)领域表现优异的三星电子可能会增加其供货量。

SiP是一种将多个半导体芯片集成到单个封装中的技术。与HBM4类似,它将图形处理器(GPU)、内存芯片、中介层和电源芯片集成到单个封装中。

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