科技区角快讯，台积电已于2025年第四季度正式启动其N2 2纳米制程工艺的大规模量产。尽管公司未举行公开发布会，但其官网“逻辑制程”页面已明确更新信息：“台积电2纳米技术已按计划于2025年第四季度投入量产。”这一进展与公司此前公布的技术路线图完全一致，标志着半导体制造迈入全新阶段。
N2是台积电历史上首个采用环绕栅极（GAA）结构——即纳米片（Nanosheet）晶体管的制程节点，其设计理念与英特尔的RibbonFET技术路径相似。该结构通过将栅极完全包裹水平堆叠的纳米片导电沟道，显著优化了静电控制能力，有效抑制漏电流，在维持甚至提升芯片性能的同时，实现更高的晶体管集成密度。
在供电系统方面，N2工艺引入了超高性能金属-绝缘体-金属电容器（SHPMIM），相较前代SHDMIM方案，电容密度提升逾两倍；同时，薄层电阻（Rs）与通孔电阻（Rc）均降低50%，大幅增强供电稳定性，为高性能计算和低功耗场景提供更强支撑。
根据台积电官方披露的数据，N2工艺相较上一代N3E，在相同功耗下可实现10%至15%的性能提升；若保持性能不变，则功耗可降低20%至25%；晶体管密度亦提升约15%。这些指标使其成为当前业界在能效与集成度方面最先进的量产制程。
未来，台积电还规划了N2工艺的两个增强版本：N2P预计于2026年下半年进入量产，将进一步提升5%至10%的性能并降低同等幅度的功耗；而N2X则定于2027年推出，在N2P基础上再提升10%性能，并继续优化能耗表现。此外，更远期的A16与A14节点也在推进中，其中A16将首次引入超级供电电路（SPR）技术，量产时间同样锁定在2026年下半年。
随着N2产能在2026年快速爬坡，包括英伟达、AMD、苹果、高通及联发科在内的全球头部芯片设计企业均已确认将采用该工艺开发下一代产品。此举不仅巩固了台积电在先进制程领域的领先地位，也为人工智能、移动计算、数据中心等关键领域带来新一轮性能跃升的可能。
