效仿SK海力士通过定义HBM标准而获得超额利润。
近期，NAND存储巨头闪迪（SanDisk）正式开建高带宽闪存（HBF）原型生产线，并计划在下半年推出样品，瞄准于2027年实现商业化量产。
早在2025年8月，闪迪就与SK海力士签署谅解备忘录，宣布共同推动HBF新技术标准。2026年2月，双方在美国加州闪迪总部高调成立“HBF规格标准化联盟”，合作进入实质性推进阶段。很显然，这场合作蓄谋已久。
如今回望，这并非一次寻常的技术合作，而是两家存储巨头在AI从训练转向推理的关键节点上，铺垫一场基于未来的深刻产业判断，以及商业化层面的战略布局。
为何选择此时抢跑
要理解此次合作的意义，必须看清AI发展带来的阶段性挑战。过去三年，AI突破集中在训练阶段，极度依赖高带宽内存HBM为GPU提供海量数据流。HBM通过3D堆叠紧贴GPU，带宽极高，但容量有限且成本高昂。
目前，大模型开始进入推理阶段，进而需求发生了根本性变化——推理业务需要频繁调用已训练好的庞大模型，进而性能瓶颈从纯粹带宽转变为带宽与容量的双重挑战。HBM虽快但容量不足，同时传统固态硬盘SSD虽容量大，但通过PCIe通道的访问速度太慢，也无法满足实时推理的低延迟要求（如SK海力士HBM3E可提供超1.2TBps 带宽，但其顶级SSD仅可提供14GBps，相比HBM3E速率慢了近100倍）。
也基于此，HBM和SSD之间，就缺少了一个既能提供接近HBM的高带宽，又能提供远超HBM的大容量，而且成本可控的中间存储层级——这也成了制约AI推理业务进行规模化部署的巨大内存墙。
自此，HBF正是为了填补这一未来产业必要的中间层而生：
1）架构方案：它借鉴HBM的先进封装理念，将多层NAND闪存芯片通过硅通孔TSV技术垂直堆叠，并与底层中介层相连，实现了远超传统SSD的并行数据通道和访问速度。
2）性能目标：在成本相近的情况下，可提供媲美HBM3的带宽，同时将存储容量提升至HBM的10倍以上。毕竟，HBF单个堆栈上的容量可达512GB（16层堆叠），也远超HBM4的上限64GB（16层堆叠），进而预计HBF将在HBM6推广阶段实现广泛的行业应用。
这也就意味着，AI服务器能以更经济的成本，在GPU近端放置一个巨大的HBF仓库，使得推理过程无需频繁向远端SSD取数，进而极大地提升了效率。简而言之，HBF试图在AI存储体系中创造出一个全新的层级——它不是要取代HBM在训练中的核心地位，而是瞄准了更具潜力的AI推理市场，以及未来需要更大内存池的复杂AI应用。
瞄准的是整个AI生态的未来
长期以来，闪迪作为NAND闪存制造商，始终处于产业链的组件层。而当前由SK海力士、三星和美光主导的HBM市场，是AI训练领域的核心战场。也基于此，为了破局，闪迪决心开辟HBF这一未来趋势——其本质还是利用自身在3D NAND堆叠（如超过332层的BiCS技术，暂时领先于三星）和晶圆键合CBA工艺上的深厚积累，制造出一种高容量，同时也可以快速访问的NAND版HBM，从而与巨头站上新的起跑线。
自此，其战略意图很明确，主动创造一个介于百亿美元HBM市场与近千亿美元SSD市场之间的全新增量市场，而非在自己并不擅长的存量市场之中博弈。这也无非正是瞄准了AI推理场景的下一波需求——如长上下文对话、多轮交互，以及智能体Agent等持续运行皆会产生海量的工作数据集和键值缓存（KV Cache）的应用场景。但这些数据也需要比SSD更快的访问速度，而HBF正是瞄准这一未来需求而生。
如今回望，闪迪选择与SK海力士结盟，也是相当具有产业逻辑的一步。毕竟，SK海力士作为HBM市场的首席（2025年市占率近60%），在TSV硅通孔、3D堆叠、高速接口，以及与英伟达等AI芯片巨头的协同设计上，拥有无与伦比的大规模量产经验——这场合作也必将是优势的完美互补，闪迪提供高密度NAND堆叠的核心制造工艺，SK海力士则提供其已被HBM验证的稀缺先进封装和高速互连解决方案。自此，这能极大加速HBF从概念到产品的成功落地。
对闪迪而言，此举也是其切入全球主流AI算力生态的关键。数十年以来，一项新技术要成为产业标配，单打独斗几乎不可能，最终皆离不开产业生态的支持。因此，获得HBM首席的支持，就等于提前备好了进入顶级数据中心生态的资质，并且能有效应对接下来以三星为主的强大市场竞争。
对SK海力士来说，这同样是一次防御性进攻。尽管目前统治HBM市场，但AI推理的广阔前景必将催生新的存储层级，HBF市场规模未来很可能超越HBM——通过与闪迪合作，SK海力士可以将其在高速存储接口和封装上的优势提前延伸至NAND领域，进而共同定义下一代存储标准，从而巩固其在整个高端存储的全球市场地位。
也基于此，闪迪与SK海力士于2026年2月在全球开放计算项目的框架之下，成立了专项工作组，意图也非常清晰，即，通过开源协作，拉拢芯片设计商、服务器制造商和云服务商共同制定标准。毕竟，也只有实现标准化，才能吸引整个生态参与，最终将HBF打造成像DDR或HBM那样普及的基础设施组件。闪迪也将借此前所未有的契机，被纳入纳斯达克100指数。
整体来看，这场合作远不止于技术融合。本质上，它是在为2030年前后即将爆发的AI推理存储需求，进行一场前瞻性的基础设施的战略布局。闪迪也很可能从组件供应商，晋升为解决方案供应商，而SK海力士则意在将当前的领先优势延续到下一个AI时代。
SK海力士的成功有何借鉴
2025年，国际固态电路会议（ISSCC）上，闪迪与铠侠联合宣布了第10代BiCS 3D NAND闪存，其堆叠层数达到332层，一举超越了当时主要竞争对手如三星、SK海力士等普遍在300层徘徊的水平，刷新了行业纪录——这是两大存储巨头长达二十余年的深度联盟，以及一次关键的架构转型，同时也是对存储市场格局的再次洗牌。
此次，闪迪的突破核心在于 CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）技术路线的有效布局。毕竟，单纯的堆叠层数如同盲目盖高楼，倘若无架构革新，性能与稳定性终将遇到行业天花板——传统做法是在同一晶圆上同时制造存储单元和外围CMOS控制电路，两者设计相互妥协，也限制了性能与工艺优化。
相较之下，CBA方案是采用分而治之的策略，进而将CMOS控制电路与NAND存储阵列分别在两片独立晶圆上制造，再通过先进混合键合工艺精准键合成三明治一般的结构。很巧的是，此架构与长江存储的Xtacking技术，存在异曲同工之处。
也基于此，这么做的好处于存储行业而言也是巨大的：
1）性能飙升：控制电路可采用更先进逻辑工艺，存储阵列专注堆叠密度。接口速度达4800MT/s（基于Toggle DDR 6.0-NAND闪存接口标准），比其第8代产品提升33%，足以满足AI推理、实时分析等高带宽任务需求。
2）密度暴涨：得益于层数的增加和工艺优化，存储密度达到了每平方毫米36.4Gb，比第八代提升了惊人的59%。这意味着在同样大小的芯片里，能塞进去的数据量大幅度增加，是降低单位存储成本的根本。
目前，三星也计划在其第10代NAND中引入类似技术（三星已与长江存储签署了相关专利许可协议，计划从第10代NAND开始，全面采用长江存储的专利技术，特别是混合键合技术——该技术是长江存储“晶栈Xtacking”的核心，可以有效解决高堆叠层数下的可靠性和性能问题）。也可以说，闪迪和铠侠的332层芯片，不仅是工艺的胜利，也是此类闪存架构的胜利。
毕竟，全球存储市场由三星、SK海力士和美光主导的格局之下，闪迪和铠侠的业务协同，常被视为存储市场的二线联盟。但也正是这种市场地位，迫使其形成了独特而坚韧的生存模式——长达二十年的合资与联合研发。
自NAND闪存诞生以来，双方通过合资工厂分摊巨额的制造投入，再通过联合研发分担技术的创新成本。这种深度绑定也让其在资本与技术密集的行业之中，始终保有一席之地——建造和维护一座先进的NAND晶圆厂，动辄需要上百亿美元的投资，研发332层这样的尖端技术，更是烧钱的无底洞。
自此，闪迪通过合资以相对较小的规模，撬动与巨头抗衡的资本开支，进而共同运营四日市（Yokkaichi）和北上（Kitakami）生产基地。这也是全球数一数二的NAND闪存生产所在（北上的工厂专门为生产先进3D NAND而建，采用了革命性的CBA技术）。
此次，这332层的闪存，正是闪迪和铠侠联盟的最新结晶，其量产时间也提前一年至2026下半年，就开始大规模生产这款332层的BiCS10闪存，甚至有部分客户已经开始洽谈2027-2028年的长期供应合同。这在此前周期中也是罕见的，也是明确的市场进攻信号。
如今回望，SK海力士的成功，是一个坚定押注技术路线，并深度影响行业HBM标准建立的成功。早在2023年，SK海力士在行业尚处观望之时，就已经全力押注HBM，进而也最早实现HBM3的大规模量产，甚至一度成为英伟达H系列AI芯片的独家供应商。
简而言之，SK海力士本质上是通过坚定押注并持续优化MR-MUF技术路线（这项技术在散热、良率和堆叠质量上表现出色，使其在HBM2E、HBM3时代获得了领先的客户验证和市场份额），从而在HBM市场取得了压倒性的客户认可。这种市场和技术主导地位，使其SK海力士有能力显著影响行业标准的走向。
2025年，国际组织JEDEC发布HBM4标准之时，将封装高度从720微米放宽至775微米。这一调整被普遍认为有利于SK海力士沿用其成熟的MR-MUF技术，实现16层堆叠，而不必立即转向其竞争对手（如三星）正在大力投资的混合键合技术——这是一场典型的技术领先（MR-MUF）、市场统治（HBM3独家供应）、标准话语权（HBM4高度放宽）的商业胜利。
也基于此，以史为鉴，闪迪能否真正崛起，将取决于三个关键变量：
1）一是HBF能否走向行业主流标准，这是其价值暴涨的关键。毕竟，技术再好，没有生态支持也只是空中楼阁。闪迪深知此道，因此在2025年就与SK海力士签署了谅解备忘录，共同制定HBF规范。2026年，双方在开放框架下也联合启动了HBF规格标准化联盟，目标就是将其打造成行业通用标准——拉拢HBM领域的SK海力士合作，无疑是为HBF的普及铺就未来的道路。闪迪的目标是2026年下半年推出样品，并在2027年初看到首批搭载HBF的AI推理设备。
2）二是能否在企业级市场，特别是AI数据中心，成为市场支柱。HBF是未来的增量，而企业级SSD是当下的基本盘。闪迪在这方面并非没有筹码，其背靠与铠侠的合资产能，在全球NAND闪存供应合计30%以上市场份额。同时，铠侠自身也在与英伟达合作开发直连GPU的SSD，这也说明整个闪存阵营都在积极向AI计算核心靠拢。闪迪需要利用其技术优势和产能保障，在AI数据中心这个高增长领域，扩大自己的市场份额，进而为HBF的未来商业化，提供现金流和市场基础。
3）三是驾驭独立运营的能力。存储行业的周期，波峰波谷十分剧烈。作为一家独立的公司（从西部数据分拆后），闪迪需要在技术投入、产能规划，以及财务健康之间做到智慧的平衡——在行业上行期布局投资HBF等前沿技术，在下行期又能保持原有的战略布局，这将十分考验其管理层的企业经营智慧。
从更广阔的产业视角来看，闪迪与SK海力士的合作，也揭示了一个明确的产业趋势：AI存储架构正在从单一性能竞赛，转向分层的生态必然——未来的AI服务器将不再仅仅依赖HBM，而是形成“HBM + HBF + SSD”的混合存储层次。在这种架构中，HBM负责最核心的即时计算，HBF负责近存的大容量，而传统存储SSD则负责冷数据归档。
基于以上判断，闪迪的核心战略，并非取代海力士，而是定义并占据这个全新的、不可或缺的生态位置。闪迪或许无法拥有HBM那样的极致利润，但如果HBF成功普及，闪迪也将实现真正崛起——三年之后，海力士巩固了其在AI存储全栈解决方案的领导力，而闪迪则获得了重返行业中心的绝佳机遇，进而共同描绘的是，一个由异构存储驱动、更高效，也是必然的AI未来。
