韩美半导体计划在混合键合技术方面投资总计1000亿韩元（5.2亿元人民币）。韩美半导体计划在2027年底前引进混合键合设备。
韩美半导体7月25日宣布，将投资1000亿韩元，在仁川西区朱安国家工业园区建设一座总建筑面积为14,570平方米的混合键合工厂，并计划于明年下半年竣工。此次投资完成后，韩美半导体的生产线总面积将达到89,530平方米。
韩美半导体计划在混合键合工厂生产△高规格高带宽存储器（HBM）热压设备（TC键合机）、△无助焊剂键合机以及△用于人工智能（AI）2.5维（2.5D）封装的大芯片TC键合机。尤其值得一提的是，该公司计划生产混合键合机等下一代设备。
韩美半导体在高容量存储器（HBM）生产不可或缺的关键设备TC Bonder（TC键合机）市场继续保持全球领先地位。此外，该公司最近与韩国半导体前端设备公司TES签署了一项技术协议，旨在开发用于下一代HBM生产的混合键合机。
该战略旨在将TES的等离子和薄膜沉积技术融入韩美半导体的键合机技术，进一步增强设备技术。此外，预计通过加强混合键合机开发的专业人才队伍，技术开发将得到加速。
韩美半导体本月开始生产HBM4专用设备“TC Bonder 4”。该公司计划根据国内外领先存储器半导体公司的下一代HBM开发和量产路线图，逐步引进相关设备，包括年内推出无助焊剂键合机。
韩美半导体相关人士表示，“混合键合技术对于提升下一代高层HBM的性能至关重要，我们将通过早期投资，及时向国内外存储器半导体公司提供下一代HBM开发所需的关键设备，从而继续保持市场领先地位”。
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