韩媒称长鑫HBM3试产良率仅25%，TSV工艺成最大掣肘

【区角快讯】据韩国《朝鲜日报》披露，国内DRAM龙头长鑫存储（CXMT）已开启第四代高带宽内存HBM3的试产线。然而初期生产状况并不理想，良率长期卡在25%低位徘徊。这一数据意味着每四颗芯片中就有三颗沦为废品，距离半导体行业公认的80%量产黄金标准相去甚远。相比之下，该媒体极力推崇SK海力士，称其自2022年量产同款HBM3以来，良率已稳固在90%以上。

报道将矛头直指TSV硅通孔技术，认为这是长鑫面临的核心瓶颈。尽管长鑫基于G4工艺制造的普通DRAM基底并无大碍，但在芯片堆叠环节却遭遇难题。TSV需要在每一层DRAM上钻出数千个微米级小孔并填入铜材，以实现垂直电气连接。任何微小的孔位偏移或填充瑕疵，都会导致整层芯片直接报废。

业界数据显示，长鑫单颗芯片约含3000个TSV孔，而三星HBM2超5000个，SK海力士HBM3更逾8000个。韩媒借此强调韩企在该领域的绝对领先。有业内人士指出，TSV工艺诀窍需长期积累，三星与SK海力士拥有4至5年的先发优势。不过报道也承认，长鑫正持续改善良率，并将少量样品供应给寒武纪等国内客户，稳步推进商业化进程。